- Jess***Jones
- 17/04/2026
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Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - IRF6727MTR1PBF con especificaciones similares a Infineon Technologies - IRF6727MTR1PBF
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.35V @ 100µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | DIRECTFET™ MX | |
| Serie | HEXFET® | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 1.7mOhm @ 32A, 10V | |
| La disipación de energía (máximo) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | |
| Paquete / Cubierta | DirectFET™ Isometric MX | |
| Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6190 pF @ 15 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 74 nC @ 4.5 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Ta), 180A (Tc) |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies IRF6727MTR1PBF
| Atributo del producto | ![]() |
|
|---|---|---|
| Número de pieza | IRF6727MTR1PBF | MAX4722EUA+ |
| Fabricante | Infineon Technologies | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | - |
| Paquete / Cubierta | DirectFET™ Isometric MX | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118', 3.00mm Width) |
| Serie | HEXFET® | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 74 nC @ 4.5 V | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6190 pF @ 15 V | - |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30 V | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 1.7mOhm @ 32A, 10V | - |
| Vgs (Max) | ±20V | - |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Paquete | Tape & Reel (TR) | Tube |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.35V @ 100µA | - |
| Característica de FET | - | - |
| La disipación de energía (máximo) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 32A (Ta), 180A (Tc) | - |
| Paquete del dispositivo | DIRECTFET™ MX | 8-uMAX/uSOP |
| Tipo FET | N-Channel | - |
Descargue las hojas de datos PDF IRF6727MTR1PBF y la documentación Infineon Technologies para IRF6727MTR1PBF - Infineon Technologies.
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| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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