- Jess***Jones
- 17/04/2026
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Multiple Devices 25/Nov/2011.pdfEspecificaciones tecnológicas BSS159NL6327HTSA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - BSS159NL6327HTSA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - BSS159NL6327HTSA1
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| VGS (th) (Max) @Id | 2.4V @ 26µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Paquete del dispositivo | PG-SOT23 | |
| Serie | SIPMOS® | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 3.5Ohm @ 160mA, 10V | |
| La disipación de energía (máximo) | 360mW (Ta) | |
| Paquete / Cubierta | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Surface Mount | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 44 pF @ 25 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 2.9 nC @ 5 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica de FET | Depletion Mode | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 0V, 10V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 60 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 230mA (Ta) |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies BSS159NL6327HTSA1
| Atributo del producto | ||||
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | BSS159NH6327XTSA1 | BSS159NH6327XTSA2 | BSS159NL6906HTSA1 | BSS159NH6906XTSA1 |
| Fabricante | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Paquete | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Tecnología | - | - | - | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - | - | - | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | - | - | - | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Tipo de montaje | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Tipo FET | - | - | - | - |
| Característica de FET | - | - | - | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | - | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @Id | - | - | - | - |
| Serie | - | - | - | - |
| Paquete del dispositivo | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Paquete / Cubierta | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| La disipación de energía (máximo) | - | - | - | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | - | - | - | - |
Descargue las hojas de datos PDF BSS159NL6327HTSA1 y la documentación Infineon Technologies para BSS159NL6327HTSA1 - Infineon Technologies.
BSS159NL6906Infineon TechnologiesSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
BSS159NL6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSS159N H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSS169H6327 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSS169 L6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSS169Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSS159N H6906Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSS159N L6327INF
BSS169 H6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)Su dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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