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Asia/Pacífico: Japan~~(日本語)~~ Korea~~(한국의)~~ Thailand~~(ภาษาไทย)~~ Malaysia~~(Melayu)~~ Singapore~~(Melayu)~~ Vietnam~~(Tiếng Việt)~~ Philippines~~(Pilipino)~~

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América del Sur / Oceanía: New Zealand~~(Maori)~~ Brazil~~(Português)~~ Angola~~(Português)~~ Mozambique~~(Português)~~

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Casa Productos Productos semiconductores discretos Transistores-FETs, MOSFETs-escoja~~BSC012N06NSATMA1~~

Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

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BSC012N06NSATMA1 - Infineon Technologies

Name: Infineon Technologies BSC012N06NSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC012N06NSATMA1
Price: 1.697 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (6 reviews)

Fabricante Número de pieza: BSC012N06NSATMA1

Fabricante: Infineon Technologies

Allelco Número de pieza: 32D-BSC012N06NSATMA1

Garantía: 1 año de garantía Allelco - Descubre más

Estado del stock:: 14,011 unidades disponibles, nuevas y originales

Descripción de piezas: MOSFET N-CH 60V 100A TSON-8

Embalaje: PG-TSON-8-3

Ficha de datos: BSC012N06NSATMA.pdf

Hojas de datos
BSC012N06NS.pdf

Ensamblaje de PCN/origen
Mult Dev Wafer Chg 25/Jun/2020.pdf

Embalaje de PCN
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019.pdf

Estado RoHS: ROHS3 Cumplante

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Nuestra certificación

Existencias disponibles: 14011

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Cantidad	Precio unitario	Precio subtotal
1+	$1.796	$1.80
10+	$1.753	$17.53
30+	$1.725	$51.75
100+	$1.697	$169.70

Los precios anteriores no incluyen impuestos ni gastos de transporte, que se calcularán en las páginas de pedido.

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas BSC012N06NSATMA1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Infineon Technologies - BSC012N06NSATMA1 con especificaciones similares a Infineon Technologies - BSC012N06NSATMA1

Atributo del producto	Valor del atributo
Fabricante	Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @Id	3.3V @ 147µA
Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo	PG-TSON-8-3
Serie	OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs	1.2mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)	214W (Tc)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN
Paquete	Tape & Reel (TR)

Atributo del producto	Valor del atributo
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	11000 pF @ 30 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	143 nC @ 10 V
Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	36A (Ta), 306A (Tc)
Número de producto base	BSC012

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO	DESCRIPCIóN
Estado RoHS	ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estatus de alcance	REACH Unaffected
ECCN	EAR99

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

BSC012N06NSATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Introducción

Este producto es un dispositivo semiconductor discreto, específicamente un solo transistor MOSFET de canal N.

Características del producto y rendimiento

Voltaje de drenaje a fuente (VDSS) de 60V

Voltaje máximo de puerta a fuente (VGS) de ± 20V

Resistencia en el estado (RDS (ON)) de 1.2MΩ a 50A y 10V

Corriente de drenaje continuo (ID) de 36A a 25 ° C (TA) y 306A a 25 ° C (TC)

Capacitancia de entrada (CISS) de 11,000pf a 30V

Disipación de potencia máxima de 214W a 25 ° C (TC)

Rango de temperatura de funcionamiento de -55 ° C a 175 ° C

Ventajas de productos

Baja resistencia en el estado para una conversión de energía eficiente

Capacidad de manejo de alta corriente

Amplio rango de temperatura de funcionamiento

Adecuado para aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia

Parámetros técnicos clave

Tecnología MOSFET: canal N

Voltaje umbral (VGS (TH)) de 3.3V a 147a

Rango de voltaje de la unidad de puerta de 6V (Max RDS (ON)) a 10V (min RDS (ON))

Carga de puerta (QG) de 143 nc a 10V

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Paquete de montaje en superficie (PG-TSON-8-3)

Compatibilidad

Este MOSFET está diseñado para su uso en una amplia gama de aplicaciones electrónicas de energía, que incluyen:

Suministros de alimentación de modo de interruptor

Impulso del motor

Inversores

Cargadores de batería

Áreas de aplicación

Industrial

Automotor

Energía renovable

Electrónica de consumo

Ciclo de vida del producto

Este producto es un dispositivo activo en producción de Infineon Technologies.Los reemplazos y las actualizaciones pueden estar disponibles en el futuro.

Razones clave para elegir este producto

Excelente eficiencia energética y rendimiento debido a la baja resistencia en el estado

Capacidad de manejo de alta corriente para aplicaciones exigentes

Amplio rango de temperatura de funcionamiento para uso versátil

Paquete de montaje de superficie compacto para diseños con restricciones espaciales

Cumplimiento de ROHS3 para aplicaciones ecológicas

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Infineon Technologies BSC012N06NSATMA1

Atributo del producto
Número de pieza	BSC014N03LSGATMA1	BSC014N04LSATMA1	BSC011N03LSATMA1	BSC014N03MSGATMA1
Fabricante	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Tipo de montaje	-	Surface Mount	Through Hole	Surface Mount
Tecnología	-	-	-	-
RDS (Max) @Id, Vgs	-	-	-	-
Número de producto base	-	DAC34H84	MAX500	ADS62P42
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-	-	-	-
VGS (th) (Max) @Id	-	-	-	-
Paquete	-	Tape & Reel (TR)	Tube	Tape & Reel (TR)
Tipo FET	-	-	-	-
La disipación de energía (máximo)	-	-	-	-
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	-	-	-	-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	-	-	-	-
Paquete / Cubierta	-	196-LFBGA	16-DIP (0.300', 7.62mm)	64-VFQFN Exposed Pad
Paquete del dispositivo	-	196-NFBGA (12x12)	16-PDIP	64-VQFN (9x9)
Característica de FET	-	-	-	-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	-	-	-	-
Vgs (Max)	-	-	-	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	-	-	-	-
Temperatura de funcionamiento	-	-40°C ~ 85°C	0°C ~ 70°C	-40°C ~ 85°C
Serie	-	-	-	-

BSC012N06NSATMA1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF BSC012N06NSATMA1 y la documentación Infineon Technologies para BSC012N06NSATMA1 - Infineon Technologies.

Hojas de datos: BSC012N06NS.pdf
Ensamblaje de PCN/origen: Mult Dev Wafer Chg 25/Jun/2020.pdf
Embalaje de PCN: Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf Mult Dev Reel Design Chg 2/Dec/2019.pdf

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Comentarios de los clientes

Evaluación: 10 Artículos

Nath***rooks

11/06/2026

Installed this power component in a converter board. Output remained stable under different load conditions and thermal performance was better than expected.
Dani***alkerTech

01/06/2026

Product works, but setup took more effort than expected. Once configured the MCU ran reliably, although documentation support felt older compared with newer platforms. Fine for maintenance projects.
Yuki***aka88

26/05/2026

信号通信プロジェクトでこのRS-485トランシーバーを使用しました。設置は簡単で、長距離ケーブルでも通信は安定していました。消費電力も、以前使用していたものより低くなっています。
Stev***aker

20/05/2026

Solid diode for power rectification. Works well in switching circuits.
Bran***Lewis

11/05/2026

Compact FPGA with good performance. Suitable for basic signal processing tasks.
Oliv***arris

07/05/2026

Reliable I/O expander. Works well in embedded control applications.
Jess***Jones

17/04/2026

It offers good value for the price, and the specifications match the description. I’ve been using it for two days with no issues, and I’ll definitely buy it again if I need it in the future.
Mich***Smith

17/04/2026

Shipping was on time, the component pins are neatly aligned, and I tested 10 of them with a multimeter—all readings were within the specified range. Highly recommended.
Aman***arris

03/04/2026

It was great—the entire process, from placing the order to receiving the package, went very smoothly. The components were consistent, the price was fair, and I had a very pleasant shopping experience.
Mike***nch

03/04/2026

Better than expected! The resistance and capacitance readings were spot-on, and it passed the test on the first try. The service was reliable, and the packaging was thoughtful—I highly recommend it.

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Método de entrega

Envío común global por DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF SOBRE SOPORTE.
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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región	País	Hora logística (día)
America	Estados Unidos	5
America	Brasil	7
Europa	Alemania	5
	Reino Unido	4
	Italia	5
Oceanía	Australia	6
Oceanía	Nueva Zelanda	5
Asia	India	4
Asia	Japón	4
Oriente Medio	Israel	6

Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg)	Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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Modos de pago compatibles
embalaje
Certificaciones y afiliaciones

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Inspección visual
Pruebas de rendimiento y verificación de confiabilidad.
Pruebas estandarizadas de proceso completo
Control preciso de cada parámetro.

Eliminamos componentes defectuosos y aseguramos el funcionamiento estable de los dispositivos electrónicos a través de estándares de calidad profesionales.

Inspección de calidad

Modos de pago compatibles

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Gestión eficiente del suministro
Adquisiciones que ahorran costos
Abastecimiento y entrega rápidos

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Teléfono: +00852 9146 4856
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embalaje

Protección y manejo de descargas electrostáticas

Todos los componentes sensibles a la electrostática se manipulan de acuerdo con los procedimientos de control de descargas electrostáticas.Los productos están sellados herméticamente en envases antiestáticos seguros para evitar daños electrostáticos.También se aplica un etiquetado adecuado para su identificación y trazabilidad.Esto garantiza la integridad del producto durante el almacenamiento, manipulación y transporte.

ESD

Certificaciones y afiliaciones

Certificado por terceros, estricto control de calidad. Nuestra certificación

ISO 9001: 2015
ISO 13485: 2016
ISO 14001: 2015
ISO 28000: 2007
ISO 45001: 2018
GB/T 27922-2011

SMTA
IPC
ESD
PSMA