Número de pieza del fabricante
BCR185E6327
Fabricante
Infineon Technologies
Introducción
Producto de semiconductores discretos
Transistor de unión bipolar (BJT) simple, pre-sesgado
Características del producto y rendimiento
Calificación de potencia de 200 MW
Voltaje de descomposición del emisor de collector de 50 V
Calificación actual del coleccionista de 100 mA
Corriente de corte de colección de 100 na
Voltaje de saturación del emisor de colector de 300 mV
70 ganancia de corriente DC (HFE)
Frecuencia de transición de 200 MHz
10 resistencia base de kohm
47 resistencia de base de emisor kohm
Ventajas de productos
Pre-sesgado para el diseño de circuito simplificado
Grado automotriz con calificación AEC-Q101
Paquete de montaje en superficie para un diseño de placa eficiente
Parámetros técnicos clave
Desglose del emisor del recolector de voltaje (máximo): 50 V
Collector actual (IC) (máximo): 100 mA
Corte de colección actual (máximo): 100 na (ICBO)
VCE Saturation (Max) @ IB, IC: 300 MV a 500 μA, 10 Ma
DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE: 70 @ 5 Ma, 5 V
Transición de frecuencia: 200 MHz
Base de resistencia (R1): 10 kohms
Base de emisor de resistencia (R2): 47 kohms
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Compatibilidad
TO36-3, SC-59, paquete SOT-23-3
Diseño de montaje en superficie
Áreas de aplicación
Electrónica automotriz
Aplicaciones de amplificador y conmutador de propósito general
Ciclo de vida del producto
Producción actual, no se conocen planes de interrupción
Opciones de reemplazo o actualización disponibles en Infineon
Razones clave para elegir este producto
Confiabilidad y rendimiento de grado automotriz
Diseño de circuito simplificado con transistor previamente sesgado
Paquete de montaje de superficie compacto para un diseño de placa eficiente
Amplia gama de parámetros técnicos para adaptarse a diversas necesidades de aplicación
Calidad y seguridad comprobadas con ROHS3 Cumplimiento

BCR185