- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
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| Cantidad | Precio unitario | Precio subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $6.04 | $6.04 |
| 210+ | $2.41 | $506.10 |
| 510+ | $2.329 | $1,187.79 |
| 990+ | $2.29 | $2,267.10 |
Especificaciones tecnológicas AS3D020120C
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED - AS3D020120C con especificaciones similares a ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED - AS3D020120C
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 1.8 V @ 20 A | |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 1200 V | |
| Tecnología | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| Paquete del dispositivo | TO-247-2 | |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| Serie | - | |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 ns |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Paquete / Cubierta | TO-247-2 | |
| Paquete | Tube | |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 175°C | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 20 µA @ 1200 V | |
| Corriente - rectificada media (Io) | 51A | |
| Capacitancia Vr, F | 1280pF @ 0V, 1MHz |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3D020120C
| Atributo del producto | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | AS3D020065A | AS3D030065C | AS3BJ-M3/52T | AS3PD-M3/86A |
| Fabricante | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | - | - | - | - |
| Paquete / Cubierta | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Tipo de montaje | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Serie | - | - | - | - |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | - | - | - | - |
| Tecnología | - | - | - | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - | - | - | - |
| Paquete | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Corriente - rectificada media (Io) | - | - | - | - |
| Velocidad | - | - | - | - |
| Paquete del dispositivo | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | - | - | - | - |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | - | - | - | - |
| Capacitancia Vr, F | - | - | - | - |
Descargue las hojas de datos PDF AS3D020120C y la documentación ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED para AS3D020120C - ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED.
AS3BJHM3Electro-Films (EFI) / Vishay
AS3D020120P2ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT
AS3D020065AANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED650V,20A SILICON CARBIDE SCHOTTK
AS3D030065CANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED650V,30A SILICON CARBIDE SCHOTTK
AS3D030120P2ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED1200V,30A SILICON CARBIDE SCHOTT
AS3BJHM3J_A/IElectro-Films (EFI) / Vishay
AS3D040120P2ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED1200V,40A SILICON CARBIDE SCHOTTSu dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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