- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
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| Cantidad | Precio unitario | Precio subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $8.741 | $8.74 |
| 10+ | $8.393 | $83.93 |
| 30+ | $7.789 | $233.67 |
| 90+ | $7.263 | $653.67 |
Especificaciones tecnológicas AS2M040120P
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED - AS2M040120P con especificaciones similares a ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED - AS2M040120P
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 10mA | |
| Vgs (Max) | +25V, -10V | |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Paquete del dispositivo | TO-247-3 | |
| Serie | - | |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 55mOhm @ 40A, 20V | |
| La disipación de energía (máximo) | 330W (Tc) | |
| Paquete / Cubierta | TO-247-3 | |
| Paquete | Tube |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2946 pF @ 1000 V | |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 142 nC @ 20 V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Característica de FET | - | |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200 V | |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2M040120P
| Atributo del producto | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | AS2M040120P | AS2ATL5LBF3F4IO24 | AS2K017 | AS2N-5M-10-Z |
| Fabricante | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED | Sensata-Airpax | AS | Nidec Components Corporation |
| Paquete del dispositivo | TO-247-3 | - | - | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 55mOhm @ 40A, 20V | - | - | - |
| Tipo de montaje | Through Hole | - | - | Through Hole, Right Angle |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | - | - | - |
| Paquete / Cubierta | TO-247-3 | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 10mA | - | - | - |
| Tipo FET | N-Channel | - | - | - |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2946 pF @ 1000 V | - | - | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 20V | - | - | - |
| Vgs (Max) | +25V, -10V | - | - | - |
| Serie | - | 22.5mm Metal | - | AS |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 142 nC @ 20 V | - | - | - |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) | - | - | - |
| Característica de FET | - | - | - | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 1200 V | - | - | - |
| Paquete | Tube | Bulk | - | Tray |
| La disipación de energía (máximo) | 330W (Tc) | - | - | - |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | -20°C ~ 85°C |
Descargue las hojas de datos PDF AS2M040120P y la documentación ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED para AS2M040120P - ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED.
AS2K017AS
AS2P-5M-10-ZNidec Components CorporationSWITCH DIP SLIDE
AS2K004N/A
AS2K006PTCSu dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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