- Jess***Jones
- 17/04/2026
Hojas de datos
1N5817 thru 1N5819.pdfEspecificaciones tecnológicas 1N5817
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Yangjie Technology - 1N5817 con especificaciones similares a Yangjie Technology - 1N5817
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Fabricante | Yangjie Technology | |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | 450 mV @ 1 A | |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | 20 V | |
| Tecnología | Schottky | |
| Paquete del dispositivo | DO-41 | |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| Serie | - | |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 10 ns |
| Atributo del producto | Valor del atributo | |
|---|---|---|
| Paquete / Cubierta | DO-204AL, DO-41, Axial | |
| Paquete | Tape & Box (TB) | |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | -55°C ~ 125°C | |
| Tipo de montaje | Through Hole | |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | 100 µA @ 20 V | |
| Corriente - rectificada media (Io) | 1A | |
| Capacitancia Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | RoHS |
| Estatus de alcance | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Yangjie Technology 1N5817
| Atributo del producto | ![]() |
|||
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | 1N5817 | 1N5817 | 1N5817 BK | 1N5817 R1G |
| Fabricante | STMicroelectronics | Diotec Semiconductor | Central Semiconductor | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Paquete / Cubierta | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Paquete | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - | - | - | - |
| Corriente - Fuga inversa a Vr | - | - | - | - |
| Serie | - | - | - | - |
| Velocidad | - | - | - | - |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx) | - | - | - | - |
| Temperatura de funcionamiento - Junction | - | - | - | - |
| Paquete del dispositivo | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Corriente - rectificada media (Io) | - | - | - | - |
| Tecnología | - | - | - | - |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ | - | - | - | - |
| Capacitancia Vr, F | - | - | - | - |
| Tipo de montaje | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
Descargue las hojas de datos PDF 1N5817 y la documentación Yangjie Technology para 1N5817 - Yangjie Technology.
1N5816RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA
1N5816Microchip TechnologyRECTIFIER DIODE
1N5817NTE Electronics, IncDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41
1N5817STMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41
1N5817Microchip Technology5A SCHOTTKY RECTIFIER
1N5816E3Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 20A DO203AASu dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |

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