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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSQJA72EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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SQJA72EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
SQJA72EP-T1_GE3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-SQJA72EP-T1_GE3
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Embalaje
PowerPAK® SO-8
Ficha de datos
SQJA72EP.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SQJA72EP-T1_GE3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - SQJA72EP-T1_GE3 con especificaciones similares a Vishay Siliconix - SQJA72EP-T1_GE3

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PowerPAK® SO-8  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 19mOhm @ 10A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 55W (Tc)  
Paquete / Cubierta PowerPAK® SO-8  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1390 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 37A (Tc)  
Número de producto base SQJA72  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance
ECCN EAR99
HTSUS

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

SQJA72EP-T1_GE3

Fabricante

Vishay / Siliconix

Introducción

N-canal MOSFET, Automotive, AEC-Q101 calificado, Trenchfet

Características del producto y rendimiento

Voltaje de fuente de drenaje de 100 V

19mohm en resistencia

37A Corriente de drenaje continuo

-55 ° C a 175 ° C Temperatura de funcionamiento

Capacitancia de entrada de 1390pf

Disipación de potencia de 55W

Ventajas de productos

Confiabilidad de grado automotriz

Conversión de energía de alta eficiencia

Paquete compacto y de ahorro de espacio

Amplio rango de temperatura de funcionamiento

Parámetros técnicos clave

VDSS: 100V

VGS (máximo): ± 20V

RDS ON (MAX): 19MOHM

ID (continuo): 37a

CISS (Max): 1390pf

PD (máximo): 55W

Características de calidad y seguridad

AEC-Q101 calificado

ROHS3 Cumplante

Embalaje de cinta y carrete

Compatibilidad

Adecuado para varias aplicaciones automotrices e industriales

Áreas de aplicación

Gestión de energía

Control del motor

Suministros de alimentación de conmutación

Electrónica automotriz

Ciclo de vida del producto

Actualmente en producción

Reemplazos y actualizaciones disponibles

Razones clave para elegir

Excelente rendimiento y confiabilidad para aplicaciones automotrices

Paquete compacto y de ahorro de espacio

Amplio rango de temperatura de funcionamiento

Conversión de potencia eficiente

Calificación AEC-Q101 de grado automotriz

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix SQJA72EP-T1_GE3

Atributo del producto SQJA72EP-T1_GE3 SQJA90EP-T1_GE3 SQJA76EP-T1_GE3 SQJA82EP-T1_GE3
Número de pieza SQJA72EP-T1_GE3 SQJA90EP-T1_GE3 SQJA76EP-T1_GE3 SQJA82EP-T1_GE3
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 30 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1390 pF @ 25 V 3500 pF @ 25 V 5250 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V
Característica de FET - - - -
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
RDS (Max) @Id, Vgs 19mOhm @ 10A, 10V 7.6mOhm @ 10A, 10V 2.4mOhm @ 10A, 10V 8.2mOhm @ 10A, 10V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 80 V 40 V 80 V
Paquete / Cubierta PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete del dispositivo PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 37A (Tc) 60A (Tc) 75A (Tc) 60A (Tc)
Número de producto base SQJA72 SQJA90 SQJA76 SQJA82
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 4.5V, 10V
La disipación de energía (máximo) 55W (Tc) 68W (Tc) 68W (Tc) 68W (Tc)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

SQJA72EP-T1_GE3 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SQJA72EP-T1_GE3 y la documentación Vishay Siliconix para SQJA72EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix.

Hojas de datos
SQJA72EP.pdf

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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