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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSQJ872EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

SQJ872EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
SQJ872EP-T1_GE3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-SQJ872EP-T1_GE3
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 150V 24.5A PPAK SO-8
Descripción detallada
Embalaje
PowerPAK® SO-8
Ficha de datos
SQJ872EP.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 61850

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SQJ872EP-T1_GE3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - SQJ872EP-T1_GE3 con especificaciones similares a Vishay Siliconix - SQJ872EP-T1_GE3

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PowerPAK® SO-8  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 35.5mOhm @ 10A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 55W (Tc)  
Paquete / Cubierta PowerPAK® SO-8  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1045 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 24.5A (Tc)  
Número de producto base SQJ872  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix SQJ872EP-T1_GE3

Atributo del producto SQJ872EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 SQJ860EP-T1_GE3 SQJ886EP-T1_GE3
Número de pieza SQJ872EP-T1_GE3 SQJ868EP-T1_GE3 SQJ860EP-T1_GE3 SQJ886EP-T1_GE3
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
RDS (Max) @Id, Vgs 35.5mOhm @ 10A, 10V 7.35mOhm @ 14A, 10V 6mOhm @ 10A, 10V 4.5mOhm @ 15.3A, 10V
Número de producto base SQJ872 SQJ868 SQJ860 SQJ886
Paquete / Cubierta PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Característica de FET - - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1045 pF @ 25 V 2450 pF @ 20 V 2700 pF @ 25 V 2922 pF @ 20 V
La disipación de energía (máximo) 55W (Tc) 48W (Tc) 48W (Tc) 55W (Tc)
VGS (th) (Max) @Id 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 24.5A (Tc) 58A (Tc) 60A (Tc) 60A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 22 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150 V 40 V 40 V 40 V
Paquete del dispositivo PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8

SQJ872EP-T1_GE3 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SQJ872EP-T1_GE3 y la documentación Vishay Siliconix para SQJ872EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix.

Hojas de datos
SQJ872EP.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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