- Circ***FixerTom
- 02/09/2026
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| Cantidad | Precio unitario | Precio subtotal |
|---|---|---|
| 1+ | $0.708 | $0.71 |
Especificaciones tecnológicas SISS5112DN-T1-GE3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - SISS5112DN-T1-GE3 con especificaciones similares a Vishay Siliconix - SISS5112DN-T1-GE3
| Atributo del producto | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Vishay / Siliconix |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo | PowerPAK® 1212-8S |
| Serie | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs | 14.9mOhm @ 10A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Paquete / Cubierta | PowerPAK® 1212-8S |
| Paquete | Tape & Reel (TR) |
| Atributo del producto | Valor del atributo |
|---|---|
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 790 pF @ 50 V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100 V |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 40.7A (Tc) |
| Número de producto base | SISS5112 |
| ATRIBUTO | DESCRIPCIóN |
|---|---|
| Estado RoHS | ROHS3 Cumplante |
| Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| ECCN | EAR99 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix SISS5112DN-T1-GE3
| Atributo del producto | ||||
|---|---|---|---|---|
| Número de pieza | SISS5110DN-T1-GE3 | SISS5710DN-T1-GE3 | SISS52DN-T1-GE3 | SISS5623DN-T1-GE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | - | - | - | - |
| La disipación de energía (máximo) | - | - | - | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | - | - | - | - |
| Tipo de montaje | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | - | - | - | - |
| Paquete del dispositivo | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Serie | - | - | - | - |
| VGS (th) (Max) @Id | - | - | - | - |
| Paquete / Cubierta | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Paquete | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Característica de FET | - | - | - | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs | - | - | - | - |
| Temperatura de funcionamiento | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Tecnología | - | - | - | - |
| Número de producto base | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Tipo FET | - | - | - | - |
Descargue las hojas de datos PDF SISS5112DN-T1-GE3 y la documentación Vishay Siliconix para SISS5112DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix.
SISS50DN-T1-GE3Infineon
SISS52DN-T1-GE3VishaySu dirección de correo electrónico no se publicará.
| Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
|---|---|---|
| Región | País | Hora logística (día) |
| America | Estados Unidos | 5 |
| Brasil | 7 | |
| Europa | Alemania | 5 |
| Reino Unido | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oceanía | Australia | 6 |
| Nueva Zelanda | 5 | |
| Asia | India | 4 |
| Japón | 4 | |
| Oriente Medio | Israel | 6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
|---|---|
| Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |













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