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Vishay Siliconix
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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SIRA01DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
SIRA01DP-T1-GE3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-SIRA01DP-T1-GE3
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8
Embalaje
PowerPAK® SO-8
Ficha de datos
Mult Dev 07/Jun/2023.pdf
New solder paste 26/May/2023.pdf
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
SIRA01DP.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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500+ $0.529 $264.50
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SIRA01DP-T1-GE3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - SIRA01DP-T1-GE3 con especificaciones similares a Vishay Siliconix - SIRA01DP-T1-GE3

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) +16V, -20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PowerPAK® SO-8  
Serie TrenchFET® Gen IV  
RDS (Max) @Id, Vgs 4.9mOhm @ 15A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 5W (Ta), 62.5W (Tc)  
Paquete / Cubierta PowerPAK® SO-8  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3490 pF @ 15 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 112 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Ta), 60A (Tc)  
Número de producto base SIRA01  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance
ECCN EAR99
HTSUS

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

SIRA01DP-T1-GE3

Fabricante

Vishay / Siliconix

Introducción

Este es un MOSFET de canal P (transistor de efecto de campo semiconductor de óxido de metal) de la serie Trenchfet Gen IV, diseñada para una amplia gama de aplicaciones.

Características del producto y rendimiento

Voltaje de drenaje a fuente de 30 V (VDSS)

VGS máximos de +16V/-20V

Baja resistencia (RDS (ON)) de 4.9mΩ @ 15a, 10V

Corriente de drenaje continuo (id) de 26a (en TA) y 60A (en TC)

Capacitancia de entrada (CISS) de 3490pf @ 15V

Disipación de potencia de 5W (en TA) y 62.5W (en TC)

Rango de temperatura de funcionamiento de -55 ° C a 150 ° C (TJ)

Ventajas de productos

Excelente manejo y eficiencia de energía

Baja resistencia a la reducción de la pérdida de energía

Amplio rango de temperatura de funcionamiento

Rendimiento robusto y confiable

Parámetros técnicos clave

Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 30V

Voltaje máximo de puerta a fuente (VGS): +16V/-20V

En resistencia (RDS (ON)): 4.9mΩ @ 15a, 10V

Corriente de drenaje continuo (ID): 26a (en TA), 60a (en TC)

Capacitancia de entrada (CISS): 3490pf @ 15V

Disipación de potencia: 5W (en TA), 62.5W (en TC)

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Calificado para los más altos estándares de la industria

Compatibilidad

Este MOSFET es compatible con una amplia gama de aplicaciones y circuitos electrónicos.

Áreas de aplicación

Fuente de alimentación

Impulso del motor

Controles industriales

Electrónica automotriz

Conmutación de encendido general

Ciclo de vida del producto

Este MOSFET está actualmente en producción y ampliamente disponible.No hay planes de interrupción o reemplazo inmediato en este momento.

Razones clave para elegir este producto

Excelente manejo de energía y eficiencia debido a la baja resistencia

Rango de temperatura de funcionamiento amplio para una mayor confiabilidad

Rendimiento robusto y confiable para aplicaciones exigentes

Cumplimiento de ROHS3 para la seguridad ambiental

Compatibilidad con una amplia gama de circuitos y aplicaciones electrónicas

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix SIRA01DP-T1-GE3

Atributo del producto SIRA01DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3 SIRA00DP-T1-GE3 SIRA02DP-T1-GE3
Número de pieza SIRA01DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3 SIRA00DP-T1-GE3 SIRA02DP-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
VGS (th) (Max) @Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Paquete del dispositivo PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
RDS (Max) @Id, Vgs 4.9mOhm @ 15A, 10V 2.5mOhm @ 15A, 10V 1mOhm @ 20A, 10V 2mOhm @ 15A, 10V
Vgs (Max) +16V, -20V +20V, -16V +20V, -16V +20V, -16V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3490 pF @ 15 V 3595 pF @ 15 V 11700 pF @ 15 V 6150 pF @ 15 V
Paquete / Cubierta PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Característica de FET - - - -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Ta), 60A (Tc) 40A (Tc) 100A (Tc) 50A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 112 nC @ 10 V 77 nC @ 10 V 220 nC @ 10 V 117 nC @ 10 V
La disipación de energía (máximo) 5W (Ta), 62.5W (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Número de producto base SIRA01 SIRA06 SIRA00 SIRA02
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie TrenchFET® Gen IV TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 30 V 30 V 30 V

SIRA01DP-T1-GE3 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SIRA01DP-T1-GE3 y la documentación Vishay Siliconix para SIRA01DP-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Dibujos 2d
Mult Dev 07/Jun/2023.pdf New solder paste 26/May/2023.pdf New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf SIRA01DP.pdf

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Comentarios de los clientes

Evaluación: 17 Artículos

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