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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSIAA02DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

SIAA02DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
SIAA02DJ-T1-GE3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-SIAA02DJ-T1-GE3
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
Descripción detallada
Embalaje
PowerPAK® SC-70-6
Ficha de datos
SiAA02DJ.pdf
Existencias disponibles: 208070

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SIAA02DJ-T1-GE3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - SIAA02DJ-T1-GE3 con especificaciones similares a Vishay Siliconix - SIAA02DJ-T1-GE3

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 1.6V @ 250µA  
Vgs (Max) +12V, -8V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PowerPAK® SC-70-6  
Serie TrenchFET® Gen IV  
RDS (Max) @Id, Vgs 4.7mOhm @ 8A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 3.5W (Ta), 19W (Tc)  
Paquete / Cubierta PowerPAK® SC-70-6  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 33 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Ta), 52A (Tc)  
Número de producto base SIAA02  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix SIAA02DJ-T1-GE3

Atributo del producto SIAA02DJ-T1-GE3 SIA975DJ-T1-GE3 MOS SIA922EDJ-T1-GE3 MOS SIA950DJ-T1-GE3
Número de pieza SIAA02DJ-T1-GE3 SIA975DJ-T1-GE3 MOS SIA922EDJ-T1-GE3 MOS SIA950DJ-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay Electro-Films (EFI) / Vishay Vishay Siliconix
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete Tape & Reel (TR) - - Tape & Reel (TR)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V - - 190V
Vgs (Max) +12V, -8V - - -
Tipo de montaje Surface Mount - - Surface Mount
Tipo FET N-Channel - - -
Característica de FET - - - Logic Level Gate
Número de producto base SIAA02 - - SIA950
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V - - -
Paquete del dispositivo PowerPAK® SC-70-6 - - PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie TrenchFET® Gen IV - - LITTLE FOOT®
VGS (th) (Max) @Id 1.6V @ 250µA - - 1.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 33 nC @ 10 V - - 4.5nC @ 10V
La disipación de energía (máximo) 3.5W (Ta), 19W (Tc) - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 10 V - - 90pF @ 100V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) - - MOSFET (Metal Oxide)
RDS (Max) @Id, Vgs 4.7mOhm @ 8A, 10V - - 3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
Paquete / Cubierta PowerPAK® SC-70-6 - - PowerPAK® SC-70-6 Dual
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 22A (Ta), 52A (Tc) - - 950mA

SIAA02DJ-T1-GE3 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SIAA02DJ-T1-GE3 y la documentación Vishay Siliconix para SIAA02DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Hojas de datos
SiAA02DJ.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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