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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSI4404DY-T1-E3
SI4404DY-T1-E3 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

SI4404DY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
SI4404DY-T1-E3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-SI4404DY-T1-E3
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
Descripción detallada
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de datos
SI4404DY.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 5070

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SI4404DY-T1-E3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - SI4404DY-T1-E3 con especificaciones similares a Vishay Siliconix - SI4404DY-T1-E3

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SOIC  
Serie TrenchFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 6.5mOhm @ 23A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 1.6W (Ta)  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 55 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta)  
Número de producto base SI4404  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix SI4404DY-T1-E3

Atributo del producto SI4404DY-T1-E3 SI4403DDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 SI4404DY-T1-GE3
Número de pieza SI4404DY-T1-E3 SI4403DDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 SI4404DY-T1-GE3
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Serie TrenchFET® TrenchFET® Gen III TrenchFET® TrenchFET®
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete del dispositivo 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta) 15.4A (Tc) 13.4A (Tc) 15A (Ta)
Tipo FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Característica de FET - - - -
La disipación de energía (máximo) 1.6W (Ta) 5W (Tc) 5W (Tc) 1.6W (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±8V ±8V ±20V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 55 nC @ 4.5 V 99 nC @ 8 V 90 nC @ 8 V 55 nC @ 4.5 V
RDS (Max) @Id, Vgs 6.5mOhm @ 23A, 10V 14mOhm @ 9A, 4.5V 15.5mOhm @ 9A, 4.5V 6.5mOhm @ 23A, 10V
Número de producto base SI4404 SI4403 SI4403 SI4404
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 20 V 20 V 30 V

SI4404DY-T1-E3 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SI4404DY-T1-E3 y la documentación Vishay Siliconix para SI4404DY-T1-E3 - Vishay Siliconix.

PCN obsolescencia/ EOL
SIL-0632014 16/Apr/2014.pdf
Ensamblaje de PCN/origen
Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014.pdf
Hojas de datos
SI4404DY.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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