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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSI4322DY-T1-E3
SI4322DY-T1-E3 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

SI4322DY-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
SI4322DY-T1-E3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-SI4322DY-T1-E3
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Descripción detallada
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de datos
SI4322DY.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 4080

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SI4322DY-T1-E3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - SI4322DY-T1-E3 con especificaciones similares a Vishay Siliconix - SI4322DY-T1-E3

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SOIC  
Serie TrenchFET®  
RDS (Max) @Id, Vgs 8.5mOhm @ 15A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 3.1W (Ta), 5.4W (Tc)  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1640 pF @ 15 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 38 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)  
Número de producto base SI4322  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix SI4322DY-T1-E3

Atributo del producto SI4322DY-T1-E3 SI4320DY-T1-E3 SI4324DY-T1-E3 SI4330DY-T1-E3.
Número de pieza SI4322DY-T1-E3 SI4320DY-T1-E3 SI4324DY-T1-E3 SI4330DY-T1-E3.
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay
La disipación de energía (máximo) 3.1W (Ta), 5.4W (Tc) 1.6W (Ta) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) -
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA -
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Paquete del dispositivo 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 30 V 30 V -
Característica de FET - - - -
RDS (Max) @Id, Vgs 8.5mOhm @ 15A, 10V 3mOhm @ 25A, 10V 3.2mOhm @ 20A, 10V -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 38 nC @ 10 V 70 nC @ 4.5 V 85 nC @ 10 V -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® -
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc) 17A (Ta) 36A (Tc) -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Número de producto base SI4322 SI4320 SI4324 -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1640 pF @ 15 V 6500 pF @ 15 V 3510 pF @ 15 V -

SI4322DY-T1-E3 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SI4322DY-T1-E3 y la documentación Vishay Siliconix para SI4322DY-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Hojas de datos
SI4322DY.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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