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Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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SI2325DS-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
SI2325DS-T1-E3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-SI2325DS-T1-E3
Garantía
1 año de garantía Allelco - Descubre más
Estado del stock:
104,740 unidades disponibles, nuevas y originales
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Embalaje
SOT-23-3 (TO-236)
Ficha de datos
SI2325DS-T1-E3.pdf

Hojas de datos

SI2325DS.pdf

Información ambiental

Material Compliance.pdf

Ensamblaje de PCN/origen

New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Nuestra certificación
Existencias disponibles: 104740
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Cantidad Precio unitario Precio subtotal
1+ $0.383 $0.38
10+ $0.317 $3.17
30+ $0.284 $8.52
100+ $0.251 $25.10
500+ $0.231 $115.50
1000+ $0.222 $222.00
Los precios anteriores no incluyen impuestos ni gastos de transporte, que se calcularán en las páginas de pedido.

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SI2325DS-T1-E3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - SI2325DS-T1-E3 con especificaciones similares a Vishay Siliconix - SI2325DS-T1-E3

Atributo del producto Valor del atributo
Fabricante Vishay / Siliconix
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo SOT-23-3 (TO-236)
Serie TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs 1.2Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo) 750mW (Ta)
Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete Tape & Reel (TR)
Atributo del producto Valor del atributo
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 25 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Tipo FET P-Channel
Característica de FET -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 530mA (Ta)
Número de producto base SI2325

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99

Introducción de piezas

SI2325DS-T1-E3 Image
SI2325DS-T1-E3 (1)

Número de pieza del fabricante

SI2325DS-T1-E3

Fabricante

Vishay / Siliconix

Introducción

El SI2325DS-T1-E3 de Vishay es un transistor MOSFET de canal P diseñado para su uso en una variedad de aplicaciones de gestión de energía.

Características del producto y rendimiento

Tecnología de trinchera MOSFET

Baja resistencia

Calificación de alto voltaje de 150V

Capacitancia de entrada baja

Capacidad de disipación de alta potencia

Ventajas de productos

Conversión de potencia eficiente

Diseño robusto

Paquete de montaje en superficie compacto

Adecuado para aplicaciones de alto voltaje

Parámetros técnicos clave

Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 150V

Voltaje de fuente de puerta (VGS MAX): ± 20V

En resistencia (RDS (ON) Máx): 1.2Ω @ 500 mA, 10V

Corriente de drenaje continuo (ID): 530MA a 25 ° C

Capacitancia de entrada (CISS Max): 510pf @ 25V

Disipación de potencia (máximo): 750MW

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Cumple con los estándares ambientales

Compatibilidad

Adecuado para aplicaciones de montaje en superficie

Compatible con controladores MOSFET estándar y circuitos de control

Áreas de aplicación

Circuitos de gestión de energía

Convertidores DC-DC

Control del motor

Conductores LED

Circuitos de carga y protección de la batería

Ciclo de vida del producto

Este producto está actualmente en producción

Opciones de reemplazo o actualización disponibles en Vishay

Razones clave para elegir este producto

Excelentes capacidades de manejo de potencia

Baja resistencia a la conversión de energía eficiente

Diseño robusto y compacto

Adecuado para aplicaciones de alto voltaje

Calidad y confiabilidad comprobada de Vishay

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix SI2325DS-T1-E3

Atributo del producto SI2325DS-T1-BE3 SI2325DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-BE3 SI2327DS-T1-E3
Número de pieza SI2325DS-T1-BE3 SI2325DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-BE3 SI2327DS-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tecnología - - - -
Característica de FET - - - -
Paquete - Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento - -40°C ~ 85°C 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C
Paquete del dispositivo - 196-NFBGA (12x12) 16-PDIP 64-VQFN (9x9)
Número de producto base - DAC34H84 MAX500 ADS62P42
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C - - - -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las - - - -
Vgs (Max) - - - -
La disipación de energía (máximo) - - - -
VGS (th) (Max) @Id - - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Tipo FET - - - -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs - - - -
Paquete / Cubierta - 196-LFBGA 16-DIP (0.300', 7.62mm) 64-VFQFN Exposed Pad
Tipo de montaje - Surface Mount Through Hole Surface Mount
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) - - - -
Serie - - - -
RDS (Max) @Id, Vgs - - - -

SI2325DS-T1-E3 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SI2325DS-T1-E3 y la documentación Vishay Siliconix para SI2325DS-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Hojas de datos
SI2325DS.pdf
Información ambiental
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Comentarios de los clientes

Evaluación: 10 Artículos

  • Arch***ct
    15/07/2026

    Used this device in a communication signal processing board. Stable timing and no unexpected issues during implementation.

  • FPGA***lorer88
    07/07/2026

    The FPGA works properly and all functions operate as expected. Documentation required some additional research, but overall it is a usable device for smaller signal processing projects.

  • Nath***oleman
    29/06/2026

    Used this sensor component in an industrial automation setup. Detection accuracy was consistent and installation was straightforward.

  • Emil***rperTech
    23/06/2026

    Works exactly as described. I used it as a USB-to-SPI bridge in a small MCU development project and communication was stable from the first setup.

  • Liam***terTech
    15/06/2026

    Used this CPLD in a logic control project. Programming was straightforward and signal timing matched the design requirements.

  • Nath***rooks
    11/06/2026

    Installed this power component in a converter board. Output remained stable under different load conditions and thermal performance was better than expected.

  • Dani***alkerTech
    01/06/2026

    Product works, but setup took more effort than expected. Once configured the MCU ran reliably, although documentation support felt older compared with newer platforms. Fine for maintenance projects.

  • Yuki***aka88
    26/05/2026

    信号通信プロジェクトでこのRS-485トランシーバーを使用しました。設置は簡単で、長距離ケーブルでも通信は安定していました。消費電力も、以前使用していたものより低くなっています。

  • Stev***aker
    20/05/2026

    Solid diode for power rectification. Works well in switching circuits.

  • Bran***Lewis
    11/05/2026

    Compact FPGA with good performance. Suitable for basic signal processing tasks.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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Inspección de calidad
Quality Inspection Image - 01
Quality Inspection Image - 02
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embalaje

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Todos los componentes sensibles a la electrostática se manipulan de acuerdo con los procedimientos de control de descargas electrostáticas.Los productos están sellados herméticamente en envases antiestáticos seguros para evitar daños electrostáticos.También se aplica un etiquetado adecuado para su identificación y trazabilidad.Esto garantiza la integridad del producto durante el almacenamiento, manipulación y transporte.


ESD

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  • ISO 13485: 2016
  • ISO 14001: 2015
  • ISO 28000: 2007
  • ISO 45001: 2018
  • GB/T 27922-2011
  • SMTA
  • IPC
  • ESD
  • PSMA
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SI2325DS-T1-E3

Vishay Siliconix
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