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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSI1305EDL-T1-E3
Vishay Siliconix
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

SI1305EDL-T1-E3 - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
SI1305EDL-T1-E3
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-SI1305EDL-T1-E3
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 8V 860MA SC70-3
Descripción detallada
Embalaje
SC-70, SOT-323
Ficha de datos
SI1305EDL.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 4540

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SI1305EDL-T1-E3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - SI1305EDL-T1-E3 con especificaciones similares a Vishay Siliconix - SI1305EDL-T1-E3

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 450mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SC-70-3  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 280mOhm @ 1A, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 290mW (Ta)  
Paquete / Cubierta SC-70, SOT-323  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 4 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 8 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 860mA (Ta)  
Número de producto base SI1305  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix SI1305EDL-T1-E3

Atributo del producto SI1305EDL-T1-E3 SI1315DL-T1-GE3 SI1305DL-T1-GE3 SI1305DL-T1-E3
Número de pieza SI1305EDL-T1-E3 SI1315DL-T1-GE3 SI1305DL-T1-GE3 SI1305DL-T1-E3
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V - 1.8V, 4.5V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @Id 450mV @ 250µA (Min) 800mV @ 250µA 450mV @ 250µA (Min) 450mV @ 250µA (Min)
Paquete / Cubierta SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 4 nC @ 4.5 V 3.4 nC @ 4.5 V 4 nC @ 4.5 V 4 nC @ 4.5 V
Característica de FET - - - -
RDS (Max) @Id, Vgs 280mOhm @ 1A, 4.5V 336mOhm @ 800mA, 4.5V 280mOhm @ 1A, 4.5V 280mOhm @ 1A, 4.5V
Serie - TrenchFET® - TrenchFET®
Número de producto base SI1305 SI1315 SI1305 SI1305
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 8 V 8 V 8 V 8 V
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V ±8V - ±8V
Paquete del dispositivo SC-70-3 SC-70-3 SC-70-3 SC-70-3
La disipación de energía (máximo) 290mW (Ta) 300mW (Ta), 400mW (Tc) 290mW (Ta) 290mW (Ta)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 860mA (Ta) 900mA (Tc) 860mA (Ta) 860mA (Ta)

SI1305EDL-T1-E3 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SI1305EDL-T1-E3 y la documentación Vishay Siliconix para SI1305EDL-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Información ambiental
Material Compliance.pdf
Hojas de datos
SI1305EDL.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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