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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRFD320PBF
IRFD320PBF Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRFD320PBF - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
IRFD320PBF
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-IRFD320PBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 400V 490MA 4DIP
Descripción detallada
Embalaje
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Ficha de datos
IRFD320.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 35910

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRFD320PBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - IRFD320PBF con especificaciones similares a Vishay Siliconix - IRFD320PBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 4-HVMDIP  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 1.8Ohm @ 210mA, 10V  
La disipación de energía (máximo) 1W (Ta)  
Paquete / Cubierta 4-DIP (0.300", 7.62mm)  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 410 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 400 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 490mA (Ta)  
Número de producto base IRFD320  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix IRFD320PBF

Atributo del producto IRFD320PBF IRFD220 IRFD220PBF IRFD224
Número de pieza IRFD320PBF IRFD220 IRFD220PBF IRFD224
Fabricante Vishay Siliconix Harris Corporation Vishay Siliconix Vishay Siliconix
RDS (Max) @Id, Vgs 1.8Ohm @ 210mA, 10V 800mOhm @ 480mA, 10V 800mOhm @ 480mA, 10V 1.1Ohm @ 380mA, 10V
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paquete Tube Bulk Bulk Tube
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 490mA (Ta) 800mA (Ta) 800mA (Ta) 630mA (Ta)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 400 V 200 V 200 V 250 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 410 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V
Característica de FET - - - -
Paquete / Cubierta 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 20 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
La disipación de energía (máximo) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete del dispositivo 4-HVMDIP 4-DIP, Hexdip, HVMDIP 4-HVMDIP 4-HVMDIP
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Número de producto base IRFD320 IRFD220 IRFD220 IRFD224
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IRFD320PBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRFD320PBF y la documentación Vishay Siliconix para IRFD320PBF - Vishay Siliconix.

Diseño/especificación de PCN
Mult Dev 01/Feb/2023.pdf
Hojas de datos
IRFD320.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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