Número de pieza del fabricante
Stw22nm60n
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
MOSFET de potencia N-canal de alto rendimiento en el paquete To-247
Características del producto y rendimiento
Calificación de alto voltaje de 600V
Baja resistencia de 220mΩ a 8a, 10V
Alta corriente de drenaje continuo de 16A a 25 ° C
Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 150 ° C
Capacitancia de entrada baja de 1330pf a 50V
Disipación de alta potencia de 125W a 25 ° C
Ventajas de productos
Excelente eficiencia y pérdidas de energía reducidas
Rendimiento resistente y confiable
Adecuado para aplicaciones de conmutación de alta potencia
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 600V
Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 30V
En resistencia (RDS (ON)): 220MΩ @ 8a, 10V
Corriente de drenaje continuo (ID): 16a a 25 ° C
Capacitancia de entrada (CISS): 1330pf @ 50V
Disipación de potencia (PD): 125W a 25 ° C
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Adecuado para aplicaciones de alta fiabilidad
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones electrónicas de energía
Áreas de aplicación
Suministros de alimentación de modo conmutado
Impulso del motor
Inversores
Suministros ininterrumpidos (UPS)
Luz de las balastos de iluminación
Electrónica industrial y de consumo
Ciclo de vida del producto
Actualmente en producción
No hay planes inmediatos para la interrupción
Opciones de reemplazo y actualización disponibles
Razones clave para elegir este producto
Excelente manejo y eficiencia de energía
Rendimiento confiable y resistente
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de alta potencia
Cumplimiento de ROHS3 para uso ecológico
STW21NM60ND MOSSTMicroelectronics
STW22N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 950V 17.5A TO247