Número de pieza del fabricante
Sti13nm60n
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Producto de semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFETS - Single
Características del producto y rendimiento
ROHS3 Cumplante
To-262-3 Long Leads, IPAK, paquete To-262AA
Temperatura de funcionamiento: -55 ° C ~ 150 ° C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 600 V
VGS (máximo): ± 25V
Rds on (max) @ id, VGS: 360mohm @ 5.5a, 10V
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drenaje continuo actual (ID) @ 25 ° C: 11a (TC)
Capacitancia de entrada (CISS) (Max) @ VDS: 790 pf @ 50 V
Disipación de potencia (MAX): 90W (TC)
Tipo de FET de canal N
VGS (th) (max) @ id: 4V @ 250a
Voltaje de accionamiento (máximo rds encendido, min rds encendido): 10V
CARGA DE GATE (QG) (MAX) @ VGS: 30 NC @ 10 V
A través del tipo de montaje del orificio
Ventajas de productos
Capacidad de alta tensión
Baja resistencia
Manejo de alta corriente
Compacto al paquete de 262-3
Parámetros técnicos clave
Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 600 V
Rds on (max) @ id, VGS: 360mohm @ 5.5a, 10V
Drenaje continuo actual (ID) @ 25 ° C: 11a (TC)
Disipación de potencia (MAX): 90W (TC)
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Adecuado para aplicaciones de alto voltaje y de alta corriente
Compatibilidad
Compatible con una amplia gama de circuitos y sistemas electrónicos
Áreas de aplicación
Fuente de alimentación
Impulso del motor
Circuitos de conmutación
Electrónica industrial
Ciclo de vida del producto
Este producto está actualmente disponible y no está cerca de la interrupción.
Los reemplazos o actualizaciones pueden estar disponibles en el futuro.
Varias razones clave para elegir este producto
Capacidad de alto voltaje de hasta 600 V
Baja resistencia de 360mohm
Manejo de alta corriente hasta 11A
Paquete compacto y eficiente a 262-3
Adecuado para una amplia gama de aplicaciones electrónicas de alta potencia
Diseño confiable y compatible con ROHS3
STI13NK60ZSTMicroelectronics