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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSTH265N6F6-2AG
STMicroelectronics
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

STH265N6F6-2AG - STMicroelectronics

Fabricante Número de pieza
STH265N6F6-2AG
Fabricante
STMicroelectronics
Allelco Número de pieza
32D-STH265N6F6-2AG
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2
Descripción detallada
Embalaje
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de datos
STH265N6F6-2AG.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 5020

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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas STH265N6F6-2AG
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STH265N6F6-2AG con especificaciones similares a STMicroelectronics - STH265N6F6-2AG

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo H2Pak-2  
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6  
RDS (Max) @Id, Vgs 2.1mOhm @ 60A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 300W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 11800 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 183 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)  
Número de producto base STH265  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STH265N6F6-2AG

Atributo del producto STH265N6F6-2AG STH240N10F7-6 STH240N75F3-6 STH270N8F7-2
Número de pieza STH265N6F6-2AG STH240N10F7-6 STH240N75F3-6 STH270N8F7-2
Fabricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Característica de FET - - - -
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 STripFET™ F7 STripFET™ III DeepGATE™, STripFET™ VII
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 11800 pF @ 25 V 11550 pF @ 25 V 6800 pF @ 25 V 13600 pF @ 50 V
La disipación de energía (máximo) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 315W (Tc)
Número de producto base STH265 STH240 STH240 STH270
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paquete del dispositivo H2Pak-2 H2PAK-6 H2PAK-6 H²PAK
RDS (Max) @Id, Vgs 2.1mOhm @ 60A, 10V 2.5mOhm @ 60A, 10V 3mOhm @ 90A, 10V 2.1mOhm @ 90A, 10V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 100 V 75 V 80 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 183 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V 193 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 180A (Tc) 180A (Tc) 180A (Tc) 180A (Tc)
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

STH265N6F6-2AG Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF STH265N6F6-2AG y la documentación STMicroelectronics para STH265N6F6-2AG - STMicroelectronics.

PCN obsolescencia/ EOL
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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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