Número de pieza del fabricante
STGP14NC60KD
Fabricante
Stmicroelectronics
Introducción
Producto de semiconductores discretos
IGBT de un solo transistor
Características del producto y rendimiento
Admite alta potencia de hasta 80W
Voltaje de descomposición del emisor colector hasta 600V
Actual de colección de hasta 25A
Baja caída de voltaje en el estado (VCE (ON) Máx. 2.5V)
Capacidades de conmutación rápida (TD (encendido/apagado) 22.5NS/116NS)
Carga de puerta baja (34.4 nc)
Ventajas de productos
Excelente capacidad de manejo de potencia
Calificaciones de alto voltaje y corriente
Rendimiento de conmutación rápida
Conversión de potencia eficiente
Parámetros técnicos clave
Voltaje de descomposición del emisor colector: 600V
Corriente del coleccionista (máximo): 25a
Caída de voltaje en el estado (VCE (ON)): 2.5V
Tiempo de recuperación inversa (TRR): 37NS
CARGA DE GATE: 34.4NC
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Paquete TO-220 para gestión térmica confiable
Compatibilidad
Adecuado para una variedad de aplicaciones de conversión y control de energía
Áreas de aplicación
Fuente de alimentación
Impulso del motor
Inversores
Suministros ininterrumpidos (UPS)
Controles industriales
Ciclo de vida del producto
Actualmente disponible
No hay información sobre la interrupción o los reemplazos
Razones clave para elegir este producto
Capacidad de manejo de alta potencia
Voltaje amplio y rango de corriente
Rendimiento de conmutación rápido y eficiente
Gestión térmica confiable en el paquete TO20
Cumplimiento de los estándares ROHS3