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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSTFW69N65M5
STMicroelectronics
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

STFW69N65M5 - STMicroelectronics

Fabricante Número de pieza
STFW69N65M5
Fabricante
STMicroelectronics
Allelco Número de pieza
32D-STFW69N65M5
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 650V 58A ISOWATT
Descripción detallada
Embalaje
TO-3P-3 Full Pack
Ficha de datos
ST(F)W69N65M5.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 5452

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas STFW69N65M5
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STFW69N65M5 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STFW69N65M5

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-3PF  
Serie MDmesh™ V  
RDS (Max) @Id, Vgs 45mOhm @ 29A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 79W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-3P-3 Full Pack  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6420 pF @ 100 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 143 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 650 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 58A (Tc)  
Número de producto base STFW69  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STFW69N65M5

Atributo del producto STFW69N65M5 STFW3N150 STFU28N65M2 STFW6N120K3
Número de pieza STFW69N65M5 STFW3N150 STFU28N65M2 STFW6N120K3
Fabricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Número de producto base STFW69 STFW3 STFU28 STFW
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6420 pF @ 100 V 939 pF @ 25 V 1440 pF @ 100 V 1050 pF @ 100 V
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±30V
Serie MDmesh™ V PowerMESH™ MDmesh™ M2 SuperMESH3™
RDS (Max) @Id, Vgs 45mOhm @ 29A, 10V 9Ohm @ 1.3A, 10V 180mOhm @ 10A, 10V 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Característica de FET - - - -
Paquete del dispositivo TO-3PF TO-3PF TO-220FP TO-3PF
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 100µA
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 650 V 1500 V 650 V 1200 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 58A (Tc) 2.5A (Tc) 20A (Tc) 6A (Tc)
Paquete Tube Tube Tube Tube
La disipación de energía (máximo) 79W (Tc) 63W (Tc) 30W (Tc) 63W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 143 nC @ 10 V 29.3 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Paquete / Cubierta TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V

STFW69N65M5 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF STFW69N65M5 y la documentación STMicroelectronics para STFW69N65M5 - STMicroelectronics.

Hojas de datos
ST(F)W69N65M5.pdf

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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