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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSTFW4N150
STMicroelectronics
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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Método de pago

STFW4N150 - STMicroelectronics

Fabricante Número de pieza
STFW4N150
Fabricante
STMicroelectronics
Allelco Número de pieza
32D-STFW4N150
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 1500V 4A ISOWATT
Embalaje
TO-3P-3 Full Pack
Ficha de datos
STxx4N150.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas STFW4N150
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de STMicroelectronics - STFW4N150 con especificaciones similares a STMicroelectronics - STFW4N150

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-3PF  
Serie PowerMESH™  
RDS (Max) @Id, Vgs 7Ohm @ 2A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 63W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-3P-3 Full Pack  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1500 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)  
Número de producto base STFW4  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

STFW4N150

Fabricante

Stmicroelectronics

Introducción

MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje

Características del producto y rendimiento

Voltaje máximo de fuente de drenaje de 1500V

Corriente de drenaje continuo de 4a a 25 ° C

En resistencia de 7Ω a 2a, 10v

Capaz de manejar hasta 63 W disipación de potencia

Características de conmutación rápida

Ventajas de productos

Diseño robusto para aplicaciones de alto voltaje

Baja resistencia a la conversión de energía eficiente

Capacidad de manejo de alta corriente

Adecuado para varias aplicaciones electrónicas de energía

Parámetros técnicos clave

Voltaje de fuente de drenaje (VDSS): 1500V

Voltaje de fuente de puerta (VGS): ± 30V

En resistencia (RDS (ON)): 7Ω @ 2a, 10V

Corriente de drenaje continuo (ID): 4a a 25 ° C

Disipación de potencia (PD): 63W en TC

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Paquete TO-3PF para disipación de calor eficiente

Compatibilidad

Compatible con controladores MOSFET estándar y circuitos de control

Áreas de aplicación

Suministros de alimentación de conmutación

Impulso del motor

Inversores

Equipo industrial y médico

Ciclo de vida del producto

Este producto es un componente activo y ampliamente utilizado en la industria

Los reemplazos y las actualizaciones están disponibles en Stmicroelectronics y otros fabricantes

Razones clave para elegir este producto

Confiabilidad y rendimiento comprobados en aplicaciones de alto voltaje y alta potencia

Conversión de energía eficiente con baja resistencia

Diseño y embalaje robustos para aplicaciones de grado industrial

Amplia disponibilidad y apoyo de un fabricante de semiconductores líder

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las STMicroelectronics STFW4N150

Atributo del producto STFW4N150 STFW38N65M5 STFW69N65M5 STFW6N120K3
Número de pieza STFW4N150 STFW38N65M5 STFW69N65M5 STFW6N120K3
Fabricante STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
RDS (Max) @Id, Vgs 7Ohm @ 2A, 10V 95mOhm @ 15A, 10V 45mOhm @ 29A, 10V 2.4Ohm @ 2.5A, 10V
Paquete del dispositivo TO-3PF TO-3PF TO-3PF TO-3PF
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 50 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V 143 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Paquete Tube Tube Tube Tube
Paquete / Cubierta TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack TO-3P-3 Full Pack
La disipación de energía (máximo) 63W (Tc) 57W (Tc) 79W (Tc) 63W (Tc)
Serie PowerMESH™ MDmesh™ V MDmesh™ V SuperMESH3™
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1500 V 650 V 650 V 1200 V
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 100µA
Característica de FET - - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 25 V 3000 pF @ 100 V 6420 pF @ 100 V 1050 pF @ 100 V
Número de producto base STFW4 STFW38 STFW69 STFW
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc) 30A (Tc) 58A (Tc) 6A (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±25V ±25V ±30V

STFW4N150 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF STFW4N150 y la documentación STMicroelectronics para STFW4N150 - STMicroelectronics.

Hojas de datos
STxx4N150.pdf
Embalaje de PCN
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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