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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaBUK7E1R8-40E,127
BUK7E1R8-40E,127 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

BUK7E1R8-40E,127 - Nexperia USA Inc.

Fabricante Número de pieza
BUK7E1R8-40E,127
Fabricante
Nexperia
Allelco Número de pieza
32D-BUK7E1R8-40E,127
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Descripción detallada
Embalaje
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Ficha de datos
BUK7E1R8-40E.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 3610

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas BUK7E1R8-40E,127
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Nexperia USA Inc. - BUK7E1R8-40E,127 con especificaciones similares a Nexperia USA Inc. - BUK7E1R8-40E,127

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Nexperia  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo I2PAK  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 1.8mOhm @ 25A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 349W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 11340 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 145 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Nexperia USA Inc. BUK7E1R8-40E,127

Atributo del producto BUK7E1R8-40E,127 BUK7J1R4-40HX BUK7D36-60EX BUK7J1R0-40HX
Número de pieza BUK7E1R8-40E,127 BUK7J1R4-40HX BUK7D36-60EX BUK7J1R0-40HX
Fabricante Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) 120A (Ta) 5.5A (Ta), 14A (Tc) 220A (Tc)
RDS (Max) @Id, Vgs 1.8mOhm @ 25A, 10V 1.4mOhm @ 25A, 10V 36mOhm @ 5.5A, 10V -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 145 nC @ 10 V 126 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 11340 pF @ 25 V 8155 pF @ 25 V 453 pF @ 30 V -
Vgs (Max) ±20V +20V, -10V ±20V +20V, -10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Paquete / Cubierta TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA SOT-1023, 4-LFPAK 6-UDFN Exposed Pad -
Paquete Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40 V 40 V 60 V -
La disipación de energía (máximo) 349W (Tc) 395W (Ta) 2.3W (Ta), 15W (Tc) -
Paquete del dispositivo I2PAK LFPAK56; Power-SO8 DFN2020MD-6 -
Característica de FET - - - -
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q100
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount Surface Mount -
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 1mA 3.6V @ 1mA 4V @ 250µA -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -

BUK7E1R8-40E,127 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF BUK7E1R8-40E,127 y la documentación Nexperia USA Inc. para BUK7E1R8-40E,127 - Nexperia USA Inc..

Embalaje de PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Mult Devices Label 30/Sep/2018.pdf
PCN obsolescencia/ EOL
Mult Dev EOL 29/Jun/2020.pdf
Hojas de datos
BUK7E1R8-40E.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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