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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaVP2106N3-G
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VP2106N3-G - Microchip Technology

Fabricante Número de pieza
VP2106N3-G
Fabricante
Microchip Technology
Allelco Número de pieza
32D-VP2106N3-G
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Embalaje
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Ficha de datos
VP2106N3-G.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Cantidad
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas VP2106N3-G
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Microchip Technology - VP2106N3-G con especificaciones similares a Microchip Technology - VP2106N3-G

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Microchip Technology  
VGS (th) (Max) @Id 3.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-92-3  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 12Ohm @ 500mA, 10V  
La disipación de energía (máximo) 1W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Paquete Bag  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 25 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 250mA (Tj)  
Número de producto base VP2106  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

VP2106N3-G

Fabricante

Tecnología de microchip

Introducción

El VP2106N3-G es un transistor MOSFET de canal P de la tecnología Microchip, adecuada para una amplia gama de aplicaciones.

Características del producto y rendimiento

Transistor MOSFET de canal P

Drene a la fuente de voltaje (VDSS) de 60V

Rango de voltaje de puerta a fuente (VGS) de ± 20V

En resistencia (RDS (ON)) de 12Ω @ 500 mA, 10V

Corriente de drenaje continuo (ID) de 250 mA a 25 ° C

Capacitancia de entrada (CISS) de 60pf @ 25V

Disipación de potencia (TC) de 1W

Rango de temperatura de funcionamiento de -55 ° C a 150 ° C

Ventajas de productos

Adecuado para una amplia gama de aplicaciones

Diseño robusto con calificaciones de alta tensión y corriente

Baja resistencia a la conmutación eficiente de alimentación

Amplio rango de temperatura de funcionamiento

Parámetros técnicos clave

Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 60V

Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 20V

En resistencia (RDS (ON)): 12Ω @ 500 mA, 10V

Corriente de drenaje continuo (ID): 250 mM @ 25 ° C

Capacitancia de entrada (CISS): 60pf @ 25V

Disipación de potencia (TC): 1W

Temperatura de funcionamiento: -55 ° C a 150 ° C

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Paquete confiable de los agujeros (TO-92-3)

Compatibilidad

Compatible con una amplia gama de circuitos y sistemas electrónicos

Áreas de aplicación

Conmutación de encendido

Circuitos de amplificador

Control del motor

Gestión de baterías

Aplicaciones electrónicas generales

Ciclo de vida del producto

Actualmente disponible

No hay planes conocidos para la interrupción

Las opciones de reemplazo o actualización pueden estar disponibles

Razones clave para elegir este producto

Diseño robusto con calificaciones de alta tensión y corriente

Baja resistencia a la conmutación eficiente de alimentación

Amplio rango de temperatura de funcionamiento

Cumplimiento de ROHS3 para la responsabilidad ambiental

Compatibilidad con una amplia gama de aplicaciones electrónicas

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Microchip Technology VP2106N3-G

Atributo del producto VP2106N3-G VP2110K1-G VP2110K1 VP2020L
Número de pieza VP2106N3-G VP2110K1-G VP2110K1 VP2020L
Fabricante Microchip Technology Microchip Technology SUPERTEX Electro-Films (EFI) / Vishay
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 5V, 10V - -
La disipación de energía (máximo) 1W (Tc) 360mW (Ta) - -
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount - -
Paquete Bag Tape & Reel (TR) - -
Serie - - - -
Paquete del dispositivo TO-92-3 TO-236AB (SOT23) - -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 100 V - -
RDS (Max) @Id, Vgs 12Ohm @ 500mA, 10V 12Ohm @ 500mA, 10V - -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 250mA (Tj) 120mA (Tj) - -
Tipo FET P-Channel P-Channel - -
Paquete / Cubierta TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - -
VGS (th) (Max) @Id 3.5V @ 1mA 3.5V @ 1mA - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 60 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Número de producto base VP2106 VP2110 - -
Característica de FET - - - -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -

VP2106N3-G Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF VP2106N3-G y la documentación Microchip Technology para VP2106N3-G - Microchip Technology.

Información ambiental
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Diseño/especificación de PCN
VP2106 20/Dec/2021.pdf
Ensamblaje de PCN/origen
New Mold Compound 16/May/2022.pdf
Embalaje de PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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