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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaCSD19538Q2
Texas Instruments
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

CSD19538Q2 - Texas Instruments

Fabricante Número de pieza
CSD19538Q2
Fabricante
Texas Instruments
Allelco Número de pieza
32D-CSD19538Q2
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON
Descripción detallada
Embalaje
6-WDFN Exposed Pad
Ficha de datos
CSD19538Q2.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 198330

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas CSD19538Q2
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Texas Instruments - CSD19538Q2 con especificaciones similares a Texas Instruments - CSD19538Q2

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Texas Instruments  
VGS (th) (Max) @Id 3.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 6-WSON (2x2)  
Serie NexFET™  
RDS (Max) @Id, Vgs 59mOhm @ 5A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)  
Paquete / Cubierta 6-WDFN Exposed Pad  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 454 pF @ 50 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 5.6 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 14.4A (Ta)  
Número de producto base CSD19538  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Texas Instruments CSD19538Q2

Atributo del producto CSD19538Q2 CSD22202W15 CSD19535KTTT CSD19536KTT
Número de pieza CSD19538Q2 CSD22202W15 CSD19535KTTT CSD19536KTT
Fabricante Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Característica de FET - - - -
Número de producto base CSD19538 CSD22202 CSD19535 CSD19536
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 454 pF @ 50 V 1390 pF @ 4 V 7930 pF @ 50 V 12000 pF @ 50 V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @Id 3.8V @ 250µA 1.1V @ 250µA 3.4V @ 250µA 3.2V @ 250µA
La disipación de energía (máximo) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) 1.5W (Ta) 300W (Tc) 375W (Tc)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 8 V 100 V 100 V
Paquete del dispositivo 6-WSON (2x2) 9-DSBGA DDPAK/TO-263-3 DDPAK/TO-263-3
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 5.6 nC @ 10 V 8.4 nC @ 4.5 V 98 nC @ 10 V 153 nC @ 10 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 2.5V, 4.5V 6V, 10V 6V, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Cubierta 6-WDFN Exposed Pad 9-UFBGA, DSBGA TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Serie NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V -6V ±20V ±20V
RDS (Max) @Id, Vgs 59mOhm @ 5A, 10V 12.2mOhm @ 2A, 4.5V 3.4mOhm @ 100A, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 14.4A (Ta) 10A (Ta) 200A (Ta) 200A (Ta)

CSD19538Q2 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF CSD19538Q2 y la documentación Texas Instruments para CSD19538Q2 - Texas Instruments.

Ensamblaje de PCN/origen
Mult Devices 23/Oct/2017.pdf

Modo de transporte

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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