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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRDN100N20FU6
Rohm Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RDN100N20FU6 - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RDN100N20FU6
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RDN100N20FU6
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN
Descripción detallada
Embalaje
TO-220-3 Full Pack
Ficha de datos
RDN100N20.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 5050

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RDN100N20FU6
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RDN100N20FU6 con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RDN100N20FU6

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220FN  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 360mOhm @ 5A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 35W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack  
Paquete Bulk  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 543 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 200 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)  
Número de producto base RDN100  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RDN100N20FU6

Atributo del producto RDN100N20FU6 AOD514 SPB08P06P FQP2N90
Número de pieza RDN100N20FU6 AOD514 SPB08P06P FQP2N90
Fabricante Rohm Semiconductor Alpha & Omega Semiconductor Inc. Infineon Technologies onsemi
Número de producto base RDN100 AOD51 SPB08P FQP2
Paquete Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Serie - - SIPMOS® QFET®
Característica de FET - - - -
RDS (Max) @Id, Vgs 360mOhm @ 5A, 10V 6.5mOhm @ 20A, 10V 300mOhm @ 6.2A, 10V 7.2Ohm @ 1.1A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 543 pF @ 10 V 951 pF @ 15 V 420 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 200 V 30 V 60 V 900 V
Paquete del dispositivo TO-220FN TO-252 (DPAK) PG-TO263-3-2 TO-220-3
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 30 nC @ 10 V 22.5 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta) 17A (Ta), 46A (Tc) 8.8A (Ta) 2.2A (Tc)
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 1mA 2.6V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La disipación de energía (máximo) 35W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 42W (Tc) 85W (Tc)

RDN100N20FU6 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF RDN100N20FU6 y la documentación Rohm Semiconductor para RDN100N20FU6 - Rohm Semiconductor.

PCN obsolescencia/ EOL
Mult Dev EOL 29/Oct/2018.pdf
Hojas de datos
RDN100N20.pdf

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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