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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaR6009KNX
R6009KNX Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

R6009KNX - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
R6009KNX
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-R6009KNX
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Descripción detallada
Embalaje
TO-220-3 Full Pack
Ficha de datos
R6009KNX.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 55130

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas R6009KNX
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - R6009KNX con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - R6009KNX

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220FM  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 535mOhm @ 2.8A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 48W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack  
Paquete Bulk  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)  
Número de producto base R6009  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor R6009KNX

Atributo del producto R6009KNX R6008ANX R6009JNJGTL R6008FNJTL
Número de pieza R6009KNX R6008ANX R6009JNJGTL R6008FNJTL
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
La disipación de energía (máximo) 48W (Tc) 50W (Tc) 125W (Tc) 50W (Tc)
Paquete Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 15V 10V
Número de producto base R6009 R6008 R6009 R6008
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V 22 nC @ 15 V 20 nC @ 10 V
Serie - - - -
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
RDS (Max) @Id, Vgs 535mOhm @ 2.8A, 10V 800mOhm @ 4A, 10V 585mOhm @ 4.5A, 15V 950mOhm @ 4A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 540 pF @ 25 V 680 pF @ 25 V 645 pF @ 100 V 580 pF @ 25 V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V 600 V 600 V 600 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc) 8A (Tc) 9A (Tc) 8A (Tc)
Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 1mA 4.5V @ 1mA 7V @ 1.38mA 4V @ 1mA
Paquete del dispositivo TO-220FM TO-220FM LPTS LPTS
Característica de FET - - - -

R6009KNX Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF R6009KNX y la documentación Rohm Semiconductor para R6009KNX - Rohm Semiconductor.

Otros documentos relacionados
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Información ambiental
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Nueva Zelanda 5
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Japón 4
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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