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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaQS5U36TR
Rohm Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

QS5U36TR - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
QS5U36TR
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-QS5U36TR
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5
Descripción detallada
Embalaje
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Ficha de datos
QS5U36TR.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 139370

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas QS5U36TR
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - QS5U36TR con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - QS5U36TR

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 1.3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TSMT5  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 81mOhm @ 2.5A, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 1.25W (Ta)  
Paquete / Cubierta SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 3.5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET Schottky Diode (Isolated)  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta)  
Número de producto base QS5U36  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor QS5U36TR

Atributo del producto QS5U36TR QS5U28TR QS5U34TR QS5U21TR
Número de pieza QS5U36TR QS5U28TR QS5U34TR QS5U21TR
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Característica de FET Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Serie - - - -
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 3.5 nC @ 4.5 V 4.8 nC @ 4.5 V 2.5 nC @ 4.5 V 4.2 nC @ 4.5 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
RDS (Max) @Id, Vgs 81mOhm @ 2.5A, 4.5V 125mOhm @ 2A, 4.5V 180mOhm @ 1.5A, 4.5V 200mOhm @ 1.5A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±10V ±12V 10V ±12V
Número de producto base QS5U36 QS5U28 QS5U34 QS5U21
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A (Ta) 2A (Ta) 1.5A (Ta) 1.5A (Ta)
Paquete del dispositivo TSMT5 TSMT5 TSMT5 TSMT5
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V 20 V 20 V 20 V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La disipación de energía (máximo) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 10 V 450 pF @ 10 V 110 pF @ 10 V 325 pF @ 10 V
Paquete / Cubierta SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
VGS (th) (Max) @Id 1.3V @ 1mA 2V @ 1mA 1.3V @ 1mA 2V @ 1mA

QS5U36TR Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF QS5U36TR y la documentación Rohm Semiconductor para QS5U36TR - Rohm Semiconductor.

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
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Japón 4
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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