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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXTQ69N30P
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXTQ69N30P - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXTQ69N30P
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXTQ69N30P
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 300V 69A TO3P
Descripción detallada
Embalaje
TO-3P-3, SC-65-3
Ficha de datos
IXT(Q,T)69N30P.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 7556

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXTQ69N30P
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXTQ69N30P con especificaciones similares a IXYS - IXTQ69N30P

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-3P  
Serie Polar  
RDS (Max) @Id, Vgs 49mOhm @ 500mA, 10V  
La disipación de energía (máximo) 500W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-3P-3, SC-65-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4960 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 180 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 300 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 69A (Tc)  
Número de producto base IXTQ69  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXTQ69N30P

Atributo del producto IXTQ69N30P IXTQ50N25T IXTQ52N30P IXTQ60N10T
Número de pieza IXTQ69N30P IXTQ50N25T IXTQ52N30P IXTQ60N10T
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
RDS (Max) @Id, Vgs 49mOhm @ 500mA, 10V 60mOhm @ 25A, 10V 66mOhm @ 26A, 10V 18mOhm @ 25A, 10V
Paquete Tube Tube Tube Tube
Serie Polar Trench Polar Trench
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA 5V @ 1mA 5V @ 250µA 4.5V @ 50µA
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±30V
Paquete / Cubierta TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 300 V 250 V 300 V 100 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 69A (Tc) 50A (Tc) 52A (Tc) 60A (Tc)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Característica de FET - - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4960 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V 3490 pF @ 25 V 2650 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Número de producto base IXTQ69 IXTQ50 IXTQ52 IXTQ60
La disipación de energía (máximo) 500W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc) 176W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 180 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 49 nC @ 10 V
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paquete del dispositivo TO-3P TO-3P TO-3P TO-3P

IXTQ69N30P Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXTQ69N30P y la documentación IXYS para IXTQ69N30P - IXYS.

Diseño/especificación de PCN
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf
Hojas de datos
IXT(Q,T)69N30P.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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