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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXTQ110N055P
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXTQ110N055P - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXTQ110N055P
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXTQ110N055P
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 55V 110A TO3P
Descripción detallada
Embalaje
TO-3P-3, SC-65-3
Ficha de datos
IXT(A,P,Q)110N055P.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 4000

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXTQ110N055P
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXTQ110N055P con especificaciones similares a IXYS - IXTQ110N055P

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-3P  
Serie Polar  
RDS (Max) @Id, Vgs 13.5mOhm @ 500mA, 10V  
La disipación de energía (máximo) 390W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-3P-3, SC-65-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2210 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 76 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 55 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 110A (Tc)  
Número de producto base IXTQ110  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXTQ110N055P

Atributo del producto IXTQ110N055P IXTP88N085T IXTQ140N10P IXTP90N055T
Número de pieza IXTQ110N055P IXTP88N085T IXTQ140N10P IXTP90N055T
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 110A (Tc) 88A (Tc) 140A (Tc) 90A (Tc)
Característica de FET - - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2210 pF @ 25 V 3140 pF @ 25 V 4700 pF @ 25 V 2500 pF @ 25 V
Número de producto base IXTQ110 IXTP88 IXTQ140 IXTP90
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 76 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 55 V 85 V 100 V 55 V
RDS (Max) @Id, Vgs 13.5mOhm @ 500mA, 10V 11mOhm @ 25A, 10V 11mOhm @ 70A, 10V 8.8mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo) 390W (Tc) 230W (Tc) 600W (Tc) 176W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @Id 5.5V @ 250µA 4V @ 100µA 5V @ 250µA 4V @ 50µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie Polar TrenchMV™ Polar TrenchT2™
Paquete Tube Tube Tube Tube
Paquete / Cubierta TO-3P-3, SC-65-3 TO-220-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-220-3
Paquete del dispositivo TO-3P TO-220-3 TO-3P TO-220-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

IXTQ110N055P Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXTQ110N055P y la documentación IXYS para IXTQ110N055P - IXYS.

Diseño/especificación de PCN
Multiple Devices Material 23/Jun/2020.pdf
Hojas de datos
IXT(A,P,Q)110N055P.pdf

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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