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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXTP48P05T
IXTP48P05T Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXTP48P05T - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXTP48P05T
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXTP48P05T
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 50V 48A TO220AB
Descripción detallada
Embalaje
TO-220-3
Ficha de datos
IXT(Y,A,P)48P05T.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 19733

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXTP48P05T
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXTP48P05T con especificaciones similares a IXYS - IXTP48P05T

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±15V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220-3  
Serie TrenchP™  
RDS (Max) @Id, Vgs 30mOhm @ 24A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 150W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3660 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 53 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 50 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 48A (Tc)  
Número de producto base IXTP48  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXTP48P05T

Atributo del producto IXTP48P05T IXTP60N20T IXTP50N25T IXTP44N10T
Número de pieza IXTP48P05T IXTP60N20T IXTP50N25T IXTP44N10T
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Vgs (Max) ±15V ±20V ±30V ±30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 48A (Tc) 60A (Tc) 50A (Tc) 44A (Tc)
Número de producto base IXTP48 IXTP60 IXTP50 IXTP44
La disipación de energía (máximo) 150W (Tc) 500W (Tc) 400W (Tc) 130W (Tc)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 50 V 200 V 250 V 100 V
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 1mA 4.5V @ 25µA
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 53 nC @ 10 V 73 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Característica de FET - - - -
Paquete Tube Tube Tube Tube
Paquete del dispositivo TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
RDS (Max) @Id, Vgs 30mOhm @ 24A, 10V 40mOhm @ 30A, 10V 50mOhm @ 25A, 10V 30mOhm @ 22A, 10V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3660 pF @ 25 V 4530 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V 1262 pF @ 25 V
Serie TrenchP™ Trench Trench Trench
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete / Cubierta TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

IXTP48P05T Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXTP48P05T y la documentación IXYS para IXTP48P05T - IXYS.

Hojas de datos
IXT(Y,A,P)48P05T.pdf

Modo de transporte

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Coste de envío

  1. Use su cuenta expresa para el envío si tiene una.
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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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