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Casa Productos Productos semiconductores discretos Transistores-FETs, MOSFETs-escoja~~IXTP44N10T~~

Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

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IXTP44N10T - IXYS

Name: IXYS IXTP44N10T
Brand: IXYS
SKU: IXTP44N10T
Availability: InStock
Rating: 5 (7 reviews)

Fabricante Número de pieza: IXTP44N10T

Fabricante: IXYS Corporation

Allelco Número de pieza: 32D-IXTP44N10T

Modelo ECAD

Descripción de piezas: MOSFET N-CH 100V 44A TO220AB

Embalaje: TO-220-3

Ficha de datos: IXT(P,Y)44N10T.pdf

Estado RoHS: ROHS3 Cumplante

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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXTP44N10T
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXTP44N10T con especificaciones similares a IXYS - IXTP44N10T

Atributo del producto	Valor del atributo
Fabricante	IXYS Corporation
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 25µA
Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo	TO-220-3
Serie	Trench
RDS (Max) @Id, Vgs	30mOhm @ 22A, 10V
La disipación de energía (máximo)	130W (Tc)
Paquete / Cubierta	TO-220-3
Paquete	Tube

Atributo del producto	Valor del atributo
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1262 pF @ 25 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	44A (Tc)
Número de producto base	IXTP44

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO	DESCRIPCIóN
Estado RoHS	ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estatus de alcance	REACH Unaffected
ECCN	EAR99
HTSUS

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

Ixtp44n10t

Fabricante

Ixys Corporation

Introducción

Transistor MOSFET de potencia de alto rendimiento diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación de alta potencia

Características del producto y rendimiento

Voltaje de fuente de drenaje de 100 V

44A Corriente de drenaje continuo

30mΩ máxima de resistencia

Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 175 ° C

Velocidad de conmutación rápida y carga baja para una operación eficiente

Tecnología MOSFET de trinchera para baja resistencia y alta densidad

Ventajas de productos

Excelente capacidad de manejo de potencia

Rendimiento eficiente y confiable

Adecuado para aplicaciones de conmutación de alta potencia

Diseño robusto con amplio rango de temperatura de funcionamiento

Parámetros técnicos clave

Voltaje de fuente de drenaje de 100 V

44A Corriente de drenaje continuo

30mΩ máxima de resistencia

Capacitancia de entrada 1262pf

Disipación máxima de potencia de 130W

MOSFET de canal N con voltaje umbral de 4.5V

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Paquete confiable de los agujeros a 220-3

Compatibilidad

Adecuado para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación de alta potencia

Áreas de aplicación

Impulso del motor

Fuente de alimentación

Inversores

Controles industriales

Equipo de soldadura

Amplificadores de audio

Ciclo de vida del producto

Producto actual, que no está a punto de interrumpir

Los reemplazos o actualizaciones pueden estar disponibles en el fabricante

Razones clave para elegir este producto

Excelente manejo y eficiencia de energía

Amplio rango de temperatura de funcionamiento

Diseño confiable y robusto

Adecuado para una variedad de aplicaciones de alta potencia

Tecnología Probada Ixys Mosfet

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXTP44N10T

Atributo del producto
Número de pieza	IXTP44N10T	IXTP460P2	IXTP44P15T	IXTP3N100P
Fabricante	IXYS	IXYS	IXYS	IXYS
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 25µA	4.5V @ 250µA	4V @ 250µA	4.5V @ 250µA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1262 pF @ 25 V	2890 pF @ 25 V	13400 pF @ 25 V	1100 pF @ 25 V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET	N-Channel	N-Channel	P-Channel	N-Channel
La disipación de energía (máximo)	130W (Tc)	480W (Tc)	298W (Tc)	125W (Tc)
Característica de FET	-	-	-	-
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete	Tube	Tube	Tube	Tube
RDS (Max) @Id, Vgs	30mOhm @ 22A, 10V	270mOhm @ 12A, 10V	65mOhm @ 500mA, 10V	4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Tipo de montaje	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Vgs (Max)	±30V	±30V	±15V	±20V
Número de producto base	IXTP44	IXTP460	IXTP44	IXTP3
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	33 nC @ 10 V	48 nC @ 10 V	175 nC @ 10 V	39 nC @ 10 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	10V	10V	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100 V	500 V	150 V	1000 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	44A (Tc)	24A (Tc)	44A (Tc)	3A (Tc)
Paquete / Cubierta	TO-220-3	TO-220-3	TO-220-3	TO-220-3
Paquete del dispositivo	TO-220-3	TO-220-3	TO-220-3	TO-220-3
Serie	Trench	PolarP2™	TrenchP™	Polar P3™

IXTP44N10T Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXTP44N10T y la documentación IXYS para IXTP44N10T - IXYS.

Hojas de datos: IXT(P,Y)44N10T.pdf

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

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Envío común global por DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF SOBRE SOPORTE.
Otras más formas de envío, póngase en contacto con su gerente de clientes.

Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región	País	Hora logística (día)
America	Estados Unidos	5
America	Brasil	7
Europa	Alemania	5
	Reino Unido	4
	Italia	5
Oceanía	Australia	6
Oceanía	Nueva Zelanda	5
Asia	India	4
Asia	Japón	4
Oriente Medio	Israel	6

Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg)	Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

Nota:: La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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