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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXTP42N15T
IXTP42N15T Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXTP42N15T - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXTP42N15T
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXTP42N15T
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 150V 42A TO220AB
Descripción detallada
Embalaje
TO-220-3
Ficha de datos
IXT(A,P)42N15T.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 13355

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXTP42N15T
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXTP42N15T con especificaciones similares a IXYS - IXTP42N15T

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220-3  
Serie Trench  
RDS (Max) @Id, Vgs 45mOhm @ 500mA, 10V  
La disipación de energía (máximo) 200W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1880 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 21 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc)  
Número de producto base IXTP42  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXTP42N15T

Atributo del producto IXTP42N15T IXTP450P2 IXTP460P2 IXTP2N100
Número de pieza IXTP42N15T IXTP450P2 IXTP460P2 IXTP2N100
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Número de producto base IXTP42 IXTP450 IXTP460 IXTP2
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±20V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete Tube Tube Tube Tube
RDS (Max) @Id, Vgs 45mOhm @ 500mA, 10V 330mOhm @ 8A, 10V 270mOhm @ 12A, 10V 7Ohm @ 1A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1880 pF @ 25 V 2530 pF @ 25 V 2890 pF @ 25 V 825 pF @ 25 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie Trench PolarP2™ PolarP2™ -
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete del dispositivo TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
La disipación de energía (máximo) 200W (Tc) 300W (Tc) 480W (Tc) 100W (Tc)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150 V 500 V 500 V 1000 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 21 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 42A (Tc) 16A (Tc) 24A (Tc) 2A (Tc)
Característica de FET - - - -
Paquete / Cubierta TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

IXTP42N15T Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXTP42N15T y la documentación IXYS para IXTP42N15T - IXYS.

Hojas de datos
IXT(A,P)42N15T.pdf

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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