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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXTK102N30P
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXTK102N30P - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXTK102N30P
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXTK102N30P
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 300V 102A TO264
Descripción detallada
Embalaje
TO-264-3, TO-264AA
Ficha de datos
IXTK102N30P.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 3127

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXTK102N30P
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXTK102N30P con especificaciones similares a IXYS - IXTK102N30P

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 500µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-264 (IXTK)  
Serie Polar  
RDS (Max) @Id, Vgs 33mOhm @ 500mA, 10V  
La disipación de energía (máximo) 700W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-264-3, TO-264AA  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 224 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 300 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 102A (Tc)  
Número de producto base IXTK102  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXTK102N30P

Atributo del producto IXTK102N30P IXTK120N25 IXTK128N15 IXTH80N20L
Número de pieza IXTK102N30P IXTK120N25 IXTK128N15 IXTH80N20L
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7500 pF @ 25 V 7700 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V 6160 pF @ 25 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete / Cubierta TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-247-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paquete del dispositivo TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-247 (IXTH)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 102A (Tc) 120A (Tc) 128A (Tc) 80A (Tc)
RDS (Max) @Id, Vgs 33mOhm @ 500mA, 10V 20mOhm @ 500mA, 10V 15mOhm @ 500mA, 10V 32mOhm @ 40A, 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Característica de FET - - - -
La disipación de energía (máximo) 700W (Tc) 730W (Tc) 540W (Tc) 520W (Tc)
Paquete Tube Tube Tube Tube
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 300 V 250 V 150 V 200 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie Polar MegaMOS™ MegaMOS™ Linear
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 224 nC @ 10 V 360 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Número de producto base IXTK102 IXTK120 IXTK128 IXTH80
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 500µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA

IXTK102N30P Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXTK102N30P y la documentación IXYS para IXTK102N30P - IXYS.

Hojas de datos
IXTK102N30P.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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