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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXTH88N15
IXTH88N15 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXTH88N15 - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXTH88N15
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXTH88N15
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 150V 88A TO247
Descripción detallada
Embalaje
TO-247-3
Ficha de datos
IXT(H,T)88N15.pdf
Existencias disponibles: 5350

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXTH88N15
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXTH88N15 con especificaciones similares a IXYS - IXTH88N15

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-247 (IXTH)  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 22mOhm @ 44A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 400W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-247-3  
Paquete Box  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 88A (Tc)  
Número de producto base IXTH88  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXTH88N15

Atributo del producto IXTH88N15 IXTH80N20L IXTK110N20L2 IXTK120N20P
Número de pieza IXTH88N15 IXTH80N20L IXTK110N20L2 IXTK120N20P
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Número de producto base IXTH88 IXTH80 IXTK110 IXTK120
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 3mA 5V @ 250µA
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La disipación de energía (máximo) 400W (Tc) 520W (Tc) 960W (Tc) 714W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 170 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 500 nC @ 10 V 152 nC @ 10 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete Box Tube Tube Tube
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 88A (Tc) 80A (Tc) 110A (Tc) 120A (Tc)
RDS (Max) @Id, Vgs 22mOhm @ 44A, 10V 32mOhm @ 40A, 10V 24mOhm @ 55A, 10V 22mOhm @ 500mA, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150 V 200 V 200 V 200 V
Paquete del dispositivo TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Serie - Linear Linear L2™ Polar
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 25 V 6160 pF @ 25 V 23000 pF @ 25 V 6000 pF @ 25 V
Característica de FET - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete / Cubierta TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

IXTH88N15 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXTH88N15 y la documentación IXYS para IXTH88N15 - IXYS.

Hojas de datos
IXT(H,T)88N15.pdf

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Coste de envío

  1. Use su cuenta expresa para el envío si tiene una.
  2. Use nuestra cuenta para el envío.Consulte la tabla a continuación para obtener los cargos aproximados.
(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

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  2. Otras más formas de envío, póngase en contacto con su gerente de clientes.

Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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