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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXTB30N100L
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXTB30N100L - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXTB30N100L
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXTB30N100L
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Descripción detallada
Embalaje
TO-264-3, TO-264AA
Ficha de datos
IXTB30N100L.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 803

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXTB30N100L
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXTB30N100L con especificaciones similares a IXYS - IXTB30N100L

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PLUS264™  
Serie Linear  
RDS (Max) @Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 20V  
La disipación de energía (máximo) 800W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-264-3, TO-264AA  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 13200 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 545 nC @ 20 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 20V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1000 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Número de producto base IXTB30  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXTB30N100L

Atributo del producto IXTB30N100L IXTE250N10 IXTB62N50L IXTC13N50
Número de pieza IXTB30N100L IXTE250N10 IXTB62N50L IXTC13N50
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Serie Linear - Linear -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
RDS (Max) @Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 20V - 100mOhm @ 31A, 20V 400mOhm @ 6.5A, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1000 V 100 V 500 V 500 V
Vgs (Max) ±30V - ±30V ±20V
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA - 5.5V @ 250µA 4V @ 2.5mA
Paquete Tube Tube Tube Tube
Característica de FET - - - -
La disipación de energía (máximo) 800W (Tc) 730W 800W (Tc) 140W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 250A 62A (Tc) 12A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Número de producto base IXTB30 IXTE250 IXTB62 IXTC13
Paquete / Cubierta TO-264-3, TO-264AA SOT-227-4, miniBLOC TO-264-3, TO-264AA ISOPLUS220™
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 545 nC @ 20 V - 550 nC @ 20 V 120 nC @ 10 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 13200 pF @ 25 V - 11500 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V
Paquete del dispositivo PLUS264™ SOT-227B PLUS264™ ISOPLUS220™
Tipo de montaje Through Hole Chassis Mount Through Hole Through Hole
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 20V - 20V 10V

IXTB30N100L Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXTB30N100L y la documentación IXYS para IXTB30N100L - IXYS.

Hojas de datos
IXTB30N100L.pdf

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Coste de envío

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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