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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXTA1N200P3HV
IXTA1N200P3HV Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXTA1N200P3HV - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXTA1N200P3HV
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXTA1N200P3HV
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
Descripción detallada
Embalaje
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de datos
IXTx1N200P3(HV).pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 6994

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXTA1N200P3HV
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXTA1N200P3HV con especificaciones similares a IXYS - IXTA1N200P3HV

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-263AA  
Serie Polar P3™  
RDS (Max) @Id, Vgs 40Ohm @ 500mA, 10V  
La disipación de energía (máximo) 125W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 646 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 23.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 2000 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Tc)  
Número de producto base IXTA1  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXTA1N200P3HV

Atributo del producto IXTA1N200P3HV IXTA170N075T2 IXTA1R4N120P IXTA16N50P
Número de pieza IXTA1N200P3HV IXTA170N075T2 IXTA1R4N120P IXTA16N50P
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Serie Polar P3™ TrenchT2™ Polar Polar
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 2000 V 75 V 1200 V 500 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Tc) 170A (Tc) 1.4A (Tc) 16A (Tc)
Número de producto base IXTA1 IXTA170 IXTA1 IXTA16
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete del dispositivo TO-263AA TO-263AA TO-263AA TO-263AA
Característica de FET - - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 646 pF @ 25 V 6860 pF @ 25 V 666 pF @ 25 V 2250 pF @ 25 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 23.5 nC @ 10 V 109 nC @ 10 V 24.8 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
RDS (Max) @Id, Vgs 40Ohm @ 500mA, 10V 5.4mOhm @ 50A, 10V 13Ohm @ 500mA, 10V 400mOhm @ 8A, 10V
La disipación de energía (máximo) 125W (Tc) 360W (Tc) 86W (Tc) 300W (Tc)
Paquete Tube Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 100µA 5.5V @ 250µA

IXTA1N200P3HV Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXTA1N200P3HV y la documentación IXYS para IXTA1N200P3HV - IXYS.

Hojas de datos
IXTx1N200P3(HV).pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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