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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFR140N30P
IXFR140N30P Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXFR140N30P - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFR140N30P
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFR140N30P
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247
Descripción detallada
Embalaje
TO-247-3
Ficha de datos
IXFR140N30P.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 1898

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFR140N30P
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFR140N30P con especificaciones similares a IXYS - IXFR140N30P

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo ISOPLUS247™  
Serie HiPerFET™, Polar  
RDS (Max) @Id, Vgs 26mOhm @ 70A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 300W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-247-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14800 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 185 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 300 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)  
Número de producto base IXFR140  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFR140N30P

Atributo del producto IXFR140N30P IXFR100N25 IXFR180N10 IXFR15N80Q
Número de pieza IXFR140N30P IXFR100N25 IXFR180N10 IXFR15N80Q
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Tc) 87A (Tc) 165A (Tc) 13A (Tc)
Paquete Tube Tube Tube Tube
Paquete / Cubierta TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Característica de FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
RDS (Max) @Id, Vgs 26mOhm @ 70A, 10V 27mOhm @ 50A, 10V 8mOhm @ 90A, 10V 600mOhm @ 7.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Número de producto base IXFR140 IXFR100 IXFR180 IXFR15
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 300 V 250 V 100 V 800 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q Class
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14800 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V 4300 pF @ 25 V
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 8mA 4V @ 8mA 4V @ 8mA 4.5V @ 4mA
La disipación de energía (máximo) 300W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc) 250W (Tc)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™ ISOPLUS247™
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 185 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 400 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V

IXFR140N30P Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFR140N30P y la documentación IXYS para IXFR140N30P - IXYS.

Hojas de datos
IXFR140N30P.pdf

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Coste de envío

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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