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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFN44N80
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXFN44N80 - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFN44N80
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFN44N80
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
Descripción detallada
Embalaje
SOT-227-4, miniBLOC
Ficha de datos
IXFN44N80.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 969

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFN44N80
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFN44N80 con especificaciones similares a IXYS - IXFN44N80

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
RDS (Max) @Id, Vgs 165mOhm @ 500mA, 10V  
La disipación de energía (máximo) 700W (Tc)  
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Chassis Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 10000 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 380 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 800 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 44A (Tc)  
Número de producto base IXFN44  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFN44N80

Atributo del producto IXFN44N80 IXFN48N50U3 IXFN44N60 IXFN44N50U3
Número de pieza IXFN44N80 IXFN48N50U3 IXFN44N60 IXFN44N50U3
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 8mA 4V @ 8mA 4.5V @ 8mA 4V @ 8mA
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 10000 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V 8900 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
La disipación de energía (máximo) 700W (Tc) 520W (Tc) 600W (Tc) 520W (Tc)
Número de producto base IXFN44 IXFN48 IXFN44 IXFN44
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 44A (Tc) 48A (Tc) 44A (Tc) 44A (Tc)
Paquete del dispositivo SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
RDS (Max) @Id, Vgs 165mOhm @ 500mA, 10V 100mOhm @ 500mA, 10V 130mOhm @ 500mA, 10V 120mOhm @ 500mA, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 380 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V
Característica de FET - - - -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 800 V 500 V 600 V 500 V
Paquete Tube Tube Tube Tube
Tipo de montaje Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IXFN44N80 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFN44N80 y la documentación IXYS para IXFN44N80 - IXYS.

PCN obsolescencia/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Hojas de datos
IXFN44N80.pdf

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Coste de envío

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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