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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFN26N100P
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXFN26N100P - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFN26N100P
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFN26N100P
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
Descripción detallada
Embalaje
SOT-227-4, miniBLOC
Ficha de datos
IXFN26N100P.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 598

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFN26N100P
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFN26N100P con especificaciones similares a IXYS - IXFN26N100P

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 6.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Polar  
RDS (Max) @Id, Vgs 390mOhm @ 13A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 595W (Tc)  
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Chassis Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 11900 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 197 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1000 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc)  
Número de producto base IXFN26  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFN26N100P

Atributo del producto IXFN26N100P IXFN27N80Q IXFN260N17T IXFN27N80
Número de pieza IXFN26N100P IXFN27N80Q IXFN260N17T IXFN27N80
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
VGS (th) (Max) @Id 6.5V @ 1mA 4.5V @ 4mA 5V @ 8mA 4.5V @ 8mA
Paquete del dispositivo SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q Class GigaMOS™ HiPerFET™
Característica de FET - - - -
RDS (Max) @Id, Vgs 390mOhm @ 13A, 10V 320mOhm @ 500mA, 10V 6.5mOhm @ 60A, 10V 300mOhm @ 13.5A, 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
La disipación de energía (máximo) 595W (Tc) 520W (Tc) 1090W (Tc) 520W (Tc)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V, 15V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 197 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 400 nC @ 10 V 400 nC @ 10 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc) 27A (Tc) 245A (Tc) 27A (Tc)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1000 V 800 V 170 V 800 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 11900 pF @ 25 V 7600 pF @ 25 V 24000 pF @ 25 V 9740 pF @ 25 V
Número de producto base IXFN26 IXFN27 IXFN260 IXFN27
Tipo de montaje Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Paquete Tube Tube Tube Tube
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC

IXFN26N100P Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFN26N100P y la documentación IXYS para IXFN26N100P - IXYS.

Hojas de datos
IXFN26N100P.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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