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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFN200N10P
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXFN200N10P - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFN200N10P
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFN200N10P
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Descripción detallada
Embalaje
SOT-227-4, miniBLOC
Ficha de datos
IXFN200N10P.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 1485

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFN200N10P
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFN200N10P con especificaciones similares a IXYS - IXFN200N10P

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Polar  
RDS (Max) @Id, Vgs 7.5mOhm @ 500mA, 10V  
La disipación de energía (máximo) 680W (Tc)  
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC  
Paquete Box  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Chassis Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 235 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 200A (Tc)  
Número de producto base IXFN200  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFN200N10P

Atributo del producto IXFN200N10P IXFN180N07 IXFN180N15P IXFN200N07
Número de pieza IXFN200N10P IXFN180N07 IXFN180N15P IXFN200N07
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7600 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V 9000 pF @ 25 V
Tipo de montaje Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Paquete del dispositivo SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 8mA 4V @ 8mA 5V @ 4mA 4V @ 8mA
Paquete Box Tube Box Tube
Número de producto base IXFN200 IXFN180 IXFN180 IXFN200
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 200A (Tc) 180A (Tc) 150A (Tc) 200A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 235 nC @ 10 V 480 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 480 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 70 V 150 V 70 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Característica de FET - - - -
La disipación de energía (máximo) 680W (Tc) 520W (Tc) 680W (Tc) 520W (Tc)
RDS (Max) @Id, Vgs 7.5mOhm @ 500mA, 10V 7mOhm @ 500mA, 10V 11mOhm @ 90A, 10V 6mOhm @ 500mA, 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™

IXFN200N10P Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFN200N10P y la documentación IXYS para IXFN200N10P - IXYS.

Hojas de datos
IXFN200N10P.pdf

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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