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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFK40N90P
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXFK40N90P - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFK40N90P
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFK40N90P
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 900V 40A TO264AA
Descripción detallada
Embalaje
TO-264-3, TO-264AA
Ficha de datos
IXF(K,X)40N90P.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 1196

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFK40N90P
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFK40N90P con especificaciones similares a IXYS - IXFK40N90P

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 6.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™, Polar  
RDS (Max) @Id, Vgs 230mOhm @ 20A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 960W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-264-3, TO-264AA  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14000 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 230 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 900 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)  
Número de producto base IXFK40  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFK40N90P

Atributo del producto IXFK40N90P IXFK44N50P IXFK44N50 IXFK32N50Q
Número de pieza IXFK40N90P IXFK44N50P IXFK44N50 IXFK32N50Q
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Característica de FET - - - -
VGS (th) (Max) @Id 6.5V @ 1mA 5V @ 4mA 4V @ 8mA 4.5V @ 4mA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 900 V 500 V 500 V 500 V
Paquete / Cubierta TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
RDS (Max) @Id, Vgs 230mOhm @ 20A, 10V 140mOhm @ 22A, 10V 120mOhm @ 22A, 10V 160mOhm @ 16A, 10V
Paquete del dispositivo TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) 44A (Tc) 44A (Tc) 32A (Tc)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete Tube Tube Tube Tube
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Número de producto base IXFK40 IXFK44 IXFK44 IXFK32
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14000 pF @ 25 V 5440 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V 3950 pF @ 25 V
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™
La disipación de energía (máximo) 960W (Tc) 658W (Tc) 500W (Tc) 416W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 230 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V

IXFK40N90P Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFK40N90P y la documentación IXYS para IXFK40N90P - IXYS.

Hojas de datos
IXF(K,X)40N90P.pdf

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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