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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFK40N90P
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
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OPCIóN EXPRESA
Método de pago

IXFK40N90P - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFK40N90P
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFK40N90P
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 900V 40A TO264AA
Embalaje
TO-264-3, TO-264AA
Ficha de datos
IXF(K,X)40N90P.pdf
Estado RoHS
ROHS3 Cumplante
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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFK40N90P
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFK40N90P con especificaciones similares a IXYS - IXFK40N90P

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 6.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-264AA (IXFK)  
Serie HiPerFET™, Polar  
RDS (Max) @Id, Vgs 230mOhm @ 20A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 960W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-264-3, TO-264AA  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14000 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 230 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 900 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)  
Número de producto base IXFK40  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS ROHS3 Cumplante
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Introducción de piezas

Número de pieza del fabricante

Ixfk40n90p

Fabricante

Ixys Corporation

Introducción

El IXFK40N90P es un transistor MOSFET de N-Channel de alto rendimiento diseñado para aplicaciones de energía exigentes.

Características del producto y rendimiento

Drenaje alto a voltaje de fuente de 900V

Baja resistencia de 230mΩ a 20a, 10V

Alta corriente de drenaje continuo de 40A a 25 ° C

Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -55 ° C a 150 ° C

Cambio rápido con una carga de puerta baja de 230 nc a 10V

Disipación de alta potencia de 960W en TC

Ventajas de productos

Excelente rendimiento y eficiencia para aplicaciones de alto voltaje y alta corriente

Diseño robusto para operaciones confiables en entornos exigentes

Optimizado para una fácil integración y gestión térmica

Parámetros técnicos clave

Voltaje de drenaje a fuente (VDSS): 900V

Voltaje de puerta a fuente (VGS): ± 30V

En resistencia (RDS (ON)): 230MΩ @ 20a, 10V

Corriente de drenaje continuo (ID): 40A @ 25 ° C

Capacitancia de entrada (CISS): 14000pf @ 25V

Disipación de potencia (PD): 960W @ TC

Características de calidad y seguridad

ROHS3 Cumplante

Paquete TO64AA (IXFK) para un rendimiento térmico confiable

Diseñado y fabricado a estándares de alta calidad

Compatibilidad

Adecuado para una amplia gama de aplicaciones electrónicas de energía, incluidas las unidades de motor, las alimentaciones y la automatización industrial

Áreas de aplicación

Electrónica de potencia de alto voltaje y alta corriente

Equipo industrial y comercial

Sistemas de energía renovable

Vehículos eléctricos y vehículos híbridos eléctricos

Ciclo de vida del producto

Actualmente en producción activa

Reemplazos y actualizaciones disponibles según sea necesario

Razones clave para elegir este producto

Excelente manejo de energía y eficiencia para aplicaciones exigentes

Diseño robusto y confiable para operación a largo plazo

Fácil integración y gestión térmica

Características técnicas integrales y especificaciones de rendimiento

Cumplimiento de los estándares de la industria y los requisitos de seguridad

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFK40N90P

Atributo del producto IXFK40N90P IXFK44N50P IXFK44N50 IXFK32N50Q
Número de pieza IXFK40N90P IXFK44N50P IXFK44N50 IXFK32N50Q
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Característica de FET - - - -
VGS (th) (Max) @Id 6.5V @ 1mA 5V @ 4mA 4V @ 8mA 4.5V @ 4mA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 900 V 500 V 500 V 500 V
Paquete / Cubierta TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
RDS (Max) @Id, Vgs 230mOhm @ 20A, 10V 140mOhm @ 22A, 10V 120mOhm @ 22A, 10V 160mOhm @ 16A, 10V
Paquete del dispositivo TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK) TO-264AA (IXFK)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) 44A (Tc) 44A (Tc) 32A (Tc)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete Tube Tube Tube Tube
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Número de producto base IXFK40 IXFK44 IXFK44 IXFK32
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14000 pF @ 25 V 5440 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V 3950 pF @ 25 V
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™
La disipación de energía (máximo) 960W (Tc) 658W (Tc) 500W (Tc) 416W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 230 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V

IXFK40N90P Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFK40N90P y la documentación IXYS para IXFK40N90P - IXYS.

Dibujos 2d
IXF(K,X)40N90P.pdf

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Comentarios de los clientes

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Europa Alemania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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