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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFH6N90
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXFH6N90 - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFH6N90
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFH6N90
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 900V 6A TO247AD
Descripción detallada
Embalaje
TO-247-3
Ficha de datos
IXF(H,M)6N90/100.pdf
Existencias disponibles: 4510

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFH6N90
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFH6N90 con especificaciones similares a IXYS - IXFH6N90

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™  
RDS (Max) @Id, Vgs 2Ohm @ 3A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 300W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-247-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 900 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)  
Número de producto base IXFH6  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFH6N90

Atributo del producto IXFH6N90 IXFH76N07-11 IXFH70N20Q3 IXFH70N15
Número de pieza IXFH6N90 IXFH76N07-11 IXFH70N20Q3 IXFH70N15
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Paquete Tube Tube Tube Tube
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 130 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V 3150 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) 76A (Tc) 70A (Tc) 70A (Tc)
RDS (Max) @Id, Vgs 2Ohm @ 3A, 10V 11mOhm @ 40A, 10V 40mOhm @ 35A, 10V 28mOhm @ 35A, 10V
Paquete / Cubierta TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Paquete del dispositivo TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 900 V 70 V 200 V 150 V
La disipación de energía (máximo) 300W (Tc) 360W (Tc) 690W (Tc) 300W (Tc)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™, Q3 Class HiPerFET™
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Número de producto base IXFH6 IXFH76 IXFH70 IXFH70
Característica de FET - - - -
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 2.5mA 3.4V @ 4mA 6.5V @ 4mA 4V @ 4mA

IXFH6N90 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFH6N90 y la documentación IXYS para IXFH6N90 - IXYS.

Hojas de datos
IXF(H,M)6N90/100.pdf

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Coste de envío

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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Modos de pago compatibles

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