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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFE44N50Q
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXFE44N50Q - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFE44N50Q
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFE44N50Q
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
Descripción detallada
Embalaje
SOT-227-4, miniBLOC
Ficha de datos
IXFE(44,48)N50Q.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 5030

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFE44N50Q
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFE44N50Q con especificaciones similares a IXYS - IXFE44N50Q

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Q Class  
RDS (Max) @Id, Vgs 120mOhm @ 22A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 400W (Tc)  
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Chassis Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 39A (Tc)  
Número de producto base IXFE44  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFE44N50Q

Atributo del producto IXFE44N50Q IXFE44N50QD3 IXFE39N90 IXFE44N60
Número de pieza IXFE44N50Q IXFE44N50QD3 IXFE39N90 IXFE44N60
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Paquete del dispositivo SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Serie HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Depletion HiPerFET™ HiPerFET™
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 190 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 375 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 4mA 4V @ 4mA 5V @ 8mA 4.5V @ 8mA
La disipación de energía (máximo) 400W (Tc) 400W (Tc) 580W (Tc) 500W (Tc)
Número de producto base IXFE44 IXFE44 IXFE39 IXFE44
RDS (Max) @Id, Vgs 120mOhm @ 22A, 10V 120mOhm @ 22A, 10V 220mOhm @ 19.5A, 10V 130mOhm @ 22A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 39A (Tc) 39A (Tc) 34A (Tc) 41A (Tc)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo de montaje Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V 8000 pF @ 25 V 13400 pF @ 25 V 8900 pF @ 25 V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500 V 500 V 900 V 600 V
Paquete Tube Tube Tube Tube
Característica de FET - - - -
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IXFE44N50Q Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFE44N50Q y la documentación IXYS para IXFE44N50Q - IXYS.

Hojas de datos
IXFE(44,48)N50Q.pdf

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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