IXFA110N15T2 (1)
Número de pieza del fabricante
IXFA110N15T2
Fabricante
Ixys Corporation
Introducción
Producto de semiconductores discretos
Transistor FET, MOSFET Single
Características del producto y rendimiento
ROHS3 Cumplante
Embalaje de TO63 (D2PAK)
Montaje en la superficie
-55 ° C a 175 ° C Temperatura de funcionamiento
Drenaje de 150 V al voltaje de fuente
± 20 V de la puerta al voltaje de fuente
13mohm en resistencia a 55a, 10V
110A Corriente de drenaje continuo a 25 ° C
Capacitancia de entrada 8600pf a 25V
Disipación de potencia de 480W
Tipo de FET de canal N
Voltaje umbral de la puerta de 5V a 250a
Voltaje de accionamiento de 10 V
Cargo de la puerta de 150 nc a 10 V
Ventajas de productos
Capacidad de manejo de alta potencia
Baja resistencia
Amplio rango de temperatura de funcionamiento
Adecuado para aplicaciones de alto voltaje
Parámetros técnicos clave
Drenaje al voltaje de la fuente
Puerta a voltaje de origen
En resistencia
Corriente de drenaje continuo
Capacitancia de entrada
Disipación de potencia
Tipo de FET
Voltaje de umbral de puerta
Voltaje de accionamiento
Carga de la puerta
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Compatibilidad
Paquete TO63 (D2PAK)
Serie Hiperfet, Trencht2
Áreas de aplicación
Electrónica de alta potencia
Impulso del motor
Fuente de alimentación
Inversores
Convertidores
Ciclo de vida del producto
Actualmente disponible
No hay información sobre la interrupción o los reemplazos
Razones clave para elegir este producto
Manejo de alta potencia
Baja resistencia
Amplio rango de temperatura de funcionamiento
Adecuado para aplicaciones de alto voltaje
Rendimiento confiable y robusto
Compatibilidad con aplicaciones electrónicas comunes
IXF6151BE A2Intel
IXFA10N60P-TRLIXYSMOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
IXF6401AEC-7LEVELONE











