MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1 (1)
Número de pieza del fabricante
MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1
Fabricante
Furuno (Kaga Electronics USA)
Introducción
Integrated Circuit (IC) in the Memory category
Specifically a non-volatile Ferroelectric RAM (FRAM) memory chip
Características del producto y rendimiento
2Mbit memory capacity
Interfaz de memoria SPI
Frecuencia de reloj de 40MHz
Operates from 1.8V to 3.6V supply voltage
Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -40 ° C a 85 ° C
Ventajas de productos
Non-volatile FRAM technology provides fast read/write speeds and high endurance
Bajo consumo de energía
Amplio rango de temperatura para diversas aplicaciones
Parámetros técnicos clave
Tamaño de la memoria: 2 mbit
Interfaz de memoria: SPI
Organización de memoria: 256k x 8
Suministro de voltaje: 1.8V a 3.6V
Temperatura de funcionamiento: -40 ° C a 85 ° C
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
8-SOP (Small Outline Package) surface mount package
Compatibilidad
Compatible with a variety of microcontrollers and processors with SPI interfaces
Áreas de aplicación
Suitable for applications requiring non-volatile memory, such as industrial control systems, portable devices, and consumer electronics
Ciclo de vida del producto
Actualmente en producción, no hay indicaciones de interrupción
Las opciones de reemplazo o actualización pueden estar disponibles en el fabricante
Razones clave para elegir este producto
Memoria de marco no volátil de alta capacidad
Velocidades rápidas de lectura/escritura y alta resistencia
Bajo consumo de energía
Amplio rango de temperatura de funcionamiento
Paquete pequeño de montaje en superficie para diseños compactos
RoHS3 compliance for restricted substance regulations

MB85RS2MTFujitsu Electronics America, Inc.











