MB85RS128BPNF-G-JNERE1 (1)
Número de pieza del fabricante
MB85RS128BPNF-G-JNERE1
Fabricante
Furuno (Kaga Electronics USA)
Introducción
Circuito integrado (IC) para aplicaciones de memoria
Parte de la serie MB85RS de ICS de memoria FRAM (RAM ferroeléctrica)
Características del producto y rendimiento
128 kbit de memoria de cuadro no volátil
Interfaz SPI para el acceso a la memoria
Rango de voltaje de funcionamiento de 2.7V a 3.6V
Rango de temperatura de funcionamiento de -40 ° C a 85 ° C
Frecuencia de reloj máxima de 33MHz
Organización de memoria de 16kx8
La tecnología FRAM proporciona velocidades rápidas de lectura/escritura y alta resistencia
Ventajas de productos
Memoria no volátil con velocidades rápidas de lectura/escritura
Alta resistencia con hasta 1 billón de ciclos de escritura
Amplio rango de temperatura de funcionamiento
Bajo consumo de energía
Parámetros técnicos clave
Tamaño de la memoria: 128 kbit
Tipo de memoria: Fram (RAM ferroeléctrica)
Interfaz de memoria: SPI
Organización de memoria: 16kx8
Voltaje de funcionamiento: 2.7V a 3.6V
Temperatura de funcionamiento: -40 ° C a 85 ° C
Frecuencia máxima de reloj: 33MHz
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Paquete de 8-SOP (paquete de esquema pequeño)
Compatibilidad
Se puede utilizar en una variedad de sistemas y aplicaciones integradas que requieren memoria no volátil
Áreas de aplicación
Automatización industrial
Medición e instrumentación
Dispositivos portátiles
Electrónica automotriz
Electrónica de consumo
Ciclo de vida del producto
Producto actual, sin indicación de interrupción
Las opciones de reemplazo o actualización pueden estar disponibles en el fabricante
Razones clave para elegir este producto
Memoria de Fram no volátil de alto rendimiento
Amplio rango de temperatura de funcionamiento
Bajo consumo de energía
Velocidades rápidas de lectura/escritura y alta resistencia
Confiable y compatible con ROHS3

MB85RS128BFujitsu Electronics America, Inc.











