MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 (1)
Número de pieza del fabricante
MB85RC64TAPNF-G-BDERE1
Fabricante
Furuno (Kaga Electronics USA)
Introducción
Circuito integrado (IC) para aplicaciones de memoria
Especializado en tecnología Ferroelectric RAM (FRAM)
Características del producto y rendimiento
Memoria no volátil con capacidad de almacenamiento de 64 kbits
Tiempo de acceso rápido de 130 ns
Rango de temperatura de funcionamiento amplio de -40 ° C a 85 ° C
Bajo consumo de energía con 1.8V a 3.6V de voltaje de suministro
Frecuencia de reloj de 4 MHz
Organización de memoria 8KX8
Ventajas del producto
Alta resistencia con hasta 10^12 ciclos de escritura
Retención de datos por hasta 10 años sin energía
Capacidad de escritura instantánea sin esperar el almacenamiento de datos
Robusto contra campos magnéticos, choque y vibración
Parámetros técnicos clave
Tipo de memoria: RAM ferroeléctrica (fram)
Tamaño de la memoria: 64 kbits
Tiempo de acceso: 130 ns
Voltaje de suministro: 1.8V a 3.6V
Frecuencia de reloj: 3.4 MHz
Organización de memoria: 8KX8
Características de calidad y seguridad
Paquete de 8-Soic de Surface
Cumple con ROHS y otras regulaciones ambientales
Compatibilidad
Adecuado para una amplia gama de sistemas integrados y aplicaciones IoT
Áreas de aplicación
Sistemas de control industrial
Medición e instrumentación
Electrónica portátil
Electrónica automotriz
Ciclo de vida del producto
Modelo de producción actual, sin indicación de interrupción
Los modelos de reemplazo o actualización pueden estar disponibles en el futuro
Razones clave para elegir este producto
Memoria no volátil con alta resistencia y retención de datos
Tiempo de acceso rápido y bajo consumo de energía
Amplio rango de temperatura de funcionamiento para entornos hostiles
Robusto contra factores externos como campos magnéticos, choque y vibración
Conveniente paquete de montaje en superficie y compatibilidad con varias aplicaciones
MB85RC64VPNF-G-JNE1Kaga FEI America, Inc.64KBIT FRAM WITH I2C SERIAL INTE
MB85RC64VFujitsu











