MB85RC04VPNF-G-JNERE1 (1)
Número de pieza del fabricante
MB85RC04VPNF-G-JNERE1
Fabricante
Furuno (Kaga Electronics USA)
Introducción
Chip de memoria ferroeléctrica (FRAM) altamente integrado, de baja potencia y no volátil
Características del producto y rendimiento
Funciona a un rango de voltaje de 3V a 5.5V
Tiempo de acceso rápido de 550ns
Frecuencia de reloj de 1 mHz
Tamaño de memoria de 4 kbit (512 x 8)
La tecnología FRAM proporciona memoria de alta resistencia no volátil
Bajo consumo de energía
Ventajas de productos
La memoria no volátil retiene datos sin energía
Alta resistencia de escritura hasta 10^12 ciclos
Tiempos de acceso de lectura/escritura rápidas
Operación de baja potencia
Parámetros técnicos clave
Tipo de memoria: Fram (RAM ferroeléctrica)
Tamaño de la memoria: 4 kbit (512 x 8)
Tiempo de acceso: 550ns
Rango de voltaje: 3V a 5.5V
Frecuencia de reloj: 1 mHz
Temperatura de funcionamiento: -40 ° C a 85 ° C
Características de calidad y seguridad
ROHS3 Cumplante
Paquete de 8-SOP
Compatibilidad
Paquete de 8-Soic de Surface
Compatible con interfaces de memoria estándar
Áreas de aplicación
Sistemas integrados
Control industrial
Medida
Redes de sensores
Electrónica de consumo
Ciclo de vida del producto
Producto activo, sin anuncio de fin de vida
Varias razones clave para elegir este producto
Memoria de cuadro no volátil con alta resistencia y acceso rápido
Operación de baja potencia
Amplio rango de temperatura de funcionamiento
Pequeño tamaño de paquete de 8-SOP
Compatibilidad con interfaces de memoria estándar

MB85RC04VFujitsu











